[发明专利]具有应力消除层的低衰减光纤、其预成形件及其制造方法

权利要求书

1.一种单模光纤，其包括：

纤芯，所述纤芯包含二氧化硅和小于或等于约11重量％氧化锗，且具有最大相对折射率Δ_1最大值；

内包层，所述内包层围绕所述纤芯且具有最小相对折射率Δ₂，使得Δ_1最大值>Δ₂；

外包层，所述外包层围绕所述内包层且包括第一外包层部分和围绕所述第一外包层部分的第二外包层部分；其中，所述第二外包层部分在1650℃的粘度减去所述第一外包层部分在1650℃的粘度是≥1x10⁶泊。

2.如权利要求1所述的单模光纤，其特征在于，所述第二外包层部分在1650℃的粘度减去所述第一外包层部分在1650℃的粘度≥5x10⁶泊。

3.如权利要求1所述的单模光纤，其特征在于，所述第二外包层部分在1650℃的粘度减去所述第一外包层部分在1650℃的粘度≥1x10⁶泊且≤1.6x10⁸泊。

4.如权利要求1-3中任一项所述的单模光纤，其特征在于，所述第一外包层部分具有软化点T_软化-1，以及所述第二外包层部分具有软化点T_软化-2；以及

所述第二外包层部分的玻璃软化点T_软化-2与所述第一外包层部分的玻璃软化点T_软化-1之间的差异大于2℃。

5.如权利要求1-3中任一项所述的单模光纤，其特征在于，所述第一外包层部分具有软化点T_软化-1，以及所述第二外包层部分具有软化点T_软化-2；以及

所述第二外包层部分的玻璃软化点T_软化-2与所述第一外包层部分的玻璃软化点T_软化-1之间的差异大于3℃。

6.如权利要求1-3中任一项所述的单模光纤，其特征在于，所述第一外包层部分具有软化点T_软化-1，以及所述第二外包层部分具有软化点T_软化-2；以及所述第二外包层部分的玻璃软化点T_软化-2与所述第一外包层部分的玻璃软化点T_软化-1之间的差异大于7℃。

7.如前述权利要求中任一项所述的单模光纤，其特征在于，所述纤芯包含大于或等于约2.0重量％氧化锗。

8.如前述任一项权利要求所述的单模光纤，其特征在于，所述纤芯的最大相对折射率Δ_1最大值大于或等于约0.13％至小于或等于约0.52％。

9.如前述任一项权利要求所述的单模光纤，其特征在于，-0.02％≤Δ₂≤0.02％。

10.如前述任一项权利要求所述的单模光纤，其特征在于，所述纤芯的径向厚度大于或等于约3微米至小于或等于约10微米。

11.如前述任一项权利要求所述的单模光纤，其特征在于，所述内包层的径向厚度大于或等于约5微米。

12.如前述任一项权利要求所述的单模光纤，其特征在于，所述第一外包层部分围绕所述内包层，

所述第一外包层部分包括氯掺杂的二氧化硅，

所述第一外包层部分具有相对折射率Δ_3A，以及

Δ_3A>Δ₂。

13.如权利要求1所述的单模光纤，其特征在于，所述第二外包层部分围绕所述第一外包层部分，

所述第一外包层部分包括氯掺杂的二氧化硅且具有相对折射率Δ_3A，

所述第二外包层部分包括氯掺杂的二氧化硅、二氧化硅或SiON，以及

Δ_3A>Δ₂。

14.如权利要求7所述的单模光纤，其特征在于，所述第二外包层部分包含的氯至少比所述第一外包层部分少1000ppm，以重量计。

15.如权利要求7所述的单模光纤，其特征在于，所述第一外包层部分的平均氯浓度是2000-20000ppm，以重量计。