[发明专利]有源矩阵基板

说明书

使有源矩阵基板的配线的阻抗变小。一种有源矩阵基板，包含:基板31；配置于基板31，沿第一方向延伸的多数个的第一配线也就是栅极线；配置于基板31，沿与所述第一方向相异的第二方向延伸的多数个的第二配线也就是源极线Si；对应栅极线与源极线的各交点配置，与栅极线以及源极线连接的晶体管2；以及绝缘层；所述栅极线以及源极线的至少一方为，经由所述绝缘层的接触孔连接所述晶体管的电极，且与经由所述绝缘层的接触孔连接的所述晶体管的电极相比，透过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一个的方式形成。

技术领域

本发明为关于有源矩阵基板。

背景技术

在基板上配置了沿着第一方向多数个的扫描线(栅极线)，以及沿着不同于第一方向的第二方向多数个的数据线(源极线)，同时在扫描线与数据线的交点对应配置着晶体管的有源矩阵基板已被揭示(参照专利文献1)。

专利文献1:日本公开专利公报「特开2011-017755号公报」

发明内容

扫描线与数据线等的配线如果阻抗大的话，往配线终端的信号传达会产生延迟。因而，配线是小阻抗为适宜。

本发明的目的为，提供有源矩阵基板的配线阻抗变小的技术。

在本发明的一个实施方式的有源矩阵基板，包含:基板；配置于所述基板，沿第一方向延伸的多数个的第一配线；配置于所述基板，沿与所述第一方向相异的第二方向延伸的多数个的第二配线；对应所述第一配线与所述第二配线的各交点配置，与所述第一配线以及所述第二配线连接的晶体管；以及绝缘层；所述第一配线以及所述第二配线的至少一方为，经由所述绝缘层的接触孔连接所述晶体管的电极，与经由所述绝缘层的接触孔连接的所述晶体管的电极相比，透过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一个的方式形成。

根据本发明的揭露，第一配线以及第二配线至少有一方为，经由连接晶体管的电极与绝缘层配置在不同的层，与配置在不同层的晶体管的电极相比，透过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的至少一个的方式形成。据此，并不制约晶体管的电极的构成，第一配线以及第二配线的至少一方，可以透过厚的膜厚以及小的阻抗率的材料的其中至少一个形成。据此，第一配线以及第二配线的至少一方阻抗可以变小。

附图说明

图1是表示在实施方式一的光电传感器基板的构成例的俯视图。

图2是表示与光电传感器基板垂直的方向来看的时候，传感器构成例的图。

图3是表示于图2沿III-III线的剖面图。

图4是表示于图2沿IV-IV线的剖面图。

图5A是为了说明在实施方式一光电传感器基板的制造工序的图。

图5B是为了说明接续图5A的制造工序的图。

图5C是为了说明接续图5B的制造工序的图。

图5D是为了说明接续图5C的制造工序的图。

图5E是为了说明接续图5D的制造工序的图。

图5F是为了说明接续图5E的制造工序的图。

图5G是为了说明接续图5F的制造工序的图。

图5H是为了说明接续图5G的制造工序的图。

图6是表示在实施方式二与光电传感器基板垂直的方向来看的时候，传感器构成例的图。

图7是表示于图6沿VII-VII线的剖面图。

图8是表示于图6沿VIII-VIII线的剖面图。

图9A是为了说明在实施方式二光电传感器基板的制造工序的图。

图9B是为了说明接续图9A的制造工序的图。