[发明专利]晶舟、晶片处理装置以及晶片的处理方法

权利要求书

1.一种用于盘状的晶片的等离子体处理的晶舟，其特征在于，所述晶舟包括以下各者：

多个板，平行于彼此而定位，由导电材料制成，所述板面向另一所述板的每一侧上具有至少一个载体，所述载体用于晶片，所述载体限定所述板的收纳空间；

多个间隔元件，定位于直接邻近板之间以便定位平行于彼此的所述板；

其特征在于所述间隔元件导电，所有所述板利用所述间隔元件而彼此电连接以及固定，以便电流通过所述间隔元件以及所述板之间。

2.根据权利要求1所述的晶舟，其中所述间隔元件围绕所述板的所述收纳空间规则地分布。

3.根据权利要求1或2所述的晶舟，其中所述间隔元件中的至少四者围绕对应的所述板的所述收纳空间而分布。

4.根据前述权利要求1所述的晶舟，其中所述间隔元件的电阻是使得当所述晶舟被供应有高频电压时，引入至所述间隔元件中的高频功率仅小于50％的部分变换成热。

5.根据前述权利要求1所述的晶舟，其中所述间隔元件中的每一者具有至少20kΩ的电阻。

6.根据前述权利要求1所述的晶舟，其中所述板各自在其长度方向端处具有接触凸起，所述接触凸起经由接触块体而与其他板的所述接触凸起连接，其中直接邻近板的所述接触凸起位于不同高度上，且其中所述接触块体分别连接每隔一个板。

7.根据权利要求6所述的晶舟，其中所述接触块体的总和与所述接触凸起的总和的组合热质量小于所述晶舟的其余部分的热质量。

8.根据权利要求6所述的晶舟，其中所述接触块体的总和与所述接触凸起的总和的组合热质量小于所述晶舟的其余部分的热质量的1/10。

9.根据权利要求5至7中的任一项所述的晶舟，其中遍及接触块体以及两个接触凸起的供电流流动的供应路径的阻抗小于在操作期间在接触所述接触凸起的晶片对之间燃烧的等离子体的阻抗。

10.一种晶片用等离子体处理装置，其特征在于，所述晶片用等离子体处理装置包括以下各者：

处理腔室，用于固持根据所述权利要求1至9中的任一项所述的晶舟；

用于控制或调节所述处理腔室中的处理气体气氛的调控工具；以及

至少一个电压源，可以与所述晶舟的所述板连接，以便在所述晶舟的直接邻近板之间供应电压，其中所述至少一个电压源适合于施加至少一个直流电电压或至少一个低频交流电电压以及至少一个高频交流电电压。

11.根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其中具有用于加热所述处理腔室以及插入至所述处理腔室中的所述晶片的至少一个额外加热单元。

12.一种用于晶片的等离子体处理的方法，其特征在于，将收纳于根据权利要求1至9中的任一项所述的晶舟中的多个基板插入至根据权利要求10或11所述的等离子体处理装置的所述处理腔室中，其中所述方法包括以下步骤：

在加热阶段期间将直流电电压或低频交流电电压施加至所述晶舟的所述板使得所述间隔元件由于电流通过所述间隔元件的流动而变热；以及

将高频交流电电压施加至所述晶舟的所述板，以便在处理阶段期间在插入于所述板中的所述晶片之间产生等离子体。

13.根据权利要求12所述的方法，其中控制或调节所述处理腔室中的温度，且其中当所述晶片的温度达到或超过预定温度时进行在施加直流电电压或低频交流电电压与施加高频交流电电压之间的切换。

14.根据权利要求12或13所述的方法，其中所述经施加的直流电电压或低频交流电电压相较于所述高频交流电电压具有较大电压。

15.根据权利要求12或13所述的方法，其中控制或调节所述处理腔室中的处理气体气氛。