[发明专利]原子层生长装置

说明书

本发明是一种在基板上形成薄膜的原子层生长装置，具备：成膜容器；在成膜容器内设置的平台；在平台上保持基板的基座；配置在基板上且尺寸包围基板的掩模；能够支撑掩模上下可动的掩模销；以及在上下方向上贯通平台及基座并使掩模销能够以上下可动的方式插通的掩模销孔，基座具备：具有基板的保持面的基座主体；位于基座主体的周围且高度比保持面低的基座周缘部，掩模销孔在基座周缘部开口，在基座周缘部的掩模包围的区域内，在保持面的周围设置向上方侧排出气体的惰性气体供给口，惰性气体供给口与供给惰性气体的惰性气体供给路径连接。

技术领域

本发明涉及在基板上形成薄膜的原子层生长装置。

背景技术

众所周知，原子层生长法是在基板上交互供给构成要形成的薄膜的元素的气体，在基板上以原子层单位形成薄膜，因此使薄膜均匀地形成的技术。原子层生长法与一般的CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法比较，阶差覆盖性、膜厚控制性更佳。

传统的溅射成膜装置中，能够利用专利文献1那样的掩模。溅射成膜的膜的阶差覆盖性低，因此掩模背面的成膜量小，从而颗粒发生量少，保养周期也长。但是，在原子层生长成膜中，膜的阶差覆盖性高，因此掩模背面的沉积膜量多。侵入微细间隙的气体形成厚膜及粉末，成为颗粒的要因。尤其是为了维持掩模的平坦性，掩模的表面粗糙度不能变大，因此，掩模更换频度增大。

因而，在利用掩模的原子层生长成膜中，从基座周边吹扫惰性气体是有效的。专利文献2中，在平台设置气体供给口，从基座的背面供给惰性气体。

现有技术文献

专利文献

【专利文献1】日本专利特开2004-339581号公报

【专利文献2】日本专利特开2000-243711号公报

发明内容

发明所要解决的技术问题

但是，按照专利文献2所示装置，若在平台主体设置气体供给口，则平台的设计及制作变得复杂。因此，在基板尺寸变更时，平台本身的结构必须变更，因此存在通用性低的问题。

本发明以上述问题为背景而完成，目的之一是提供一种能够抑制掩模背面的沉积膜且容易应对基板尺寸的变更的原子层生长装置。

解决技术问题的技术方案

本发明的原子层生长装置中，第1方式是在基板上形成薄膜的原子层生长装置，其特征在于，具备：

成膜容器；

设置在所述成膜容器内的平台；

在所述平台上保持所述基板的基座；

配置在所述基板上且尺寸包围所述基板的掩模；

能够支撑所述掩模上下可动的掩模销；以及

在上下方向上贯通所述平台及所述基座并使所述掩模销能够以上下可动的方式插通的掩模销孔，

所述基座具备：具有所述基板的保持面的基座主体；位于所述基座主体的周围且高度比所述保持面低的基座周缘部，

所述掩模销孔在所述基座周缘部开口，

在所述基座周缘部的所述掩模包围的区域内，在所述保持面的周围设置向上方侧排出气体的惰性气体供给口，所述惰性气体供给口与供给惰性气体的惰性气体供给路径连接。

第2方式的原子层生长装置的本发明，其特征在于，在所述方式的本发明中，以所述基座主体为基准，在所述掩模销孔的外侧，设有所述惰性气体供给口。