[发明专利]用于使用单个像素进行电荷共享识别和校正的系统和方法

权利要求书

1.一种辐射检测器系统，包括：

半导体检测器，其具有表面；

设置在所述表面上的多个像素化阳极，所述像素化阳极中的至少一个被配置成产生对应于由所述像素化阳极收集的电荷的收集电荷信号，并产生对应于由所述像素化阳极的相邻阳极收集的电荷的非收集电荷信号；和

至少一个处理器，其可操作地联接到所述像素化阳极，所述至少一个处理器包括其中存储有指令的有形和非暂时性存储器，所述指令被配置成指导所述至少一个处理器以：

确定在所述像素化阳极中的所述收集电荷信号的收集值;

确定对应于由所述相邻阳极收集的电荷的所述像素化阳极中的所述非收集电荷信号的非收集值；

使用由校准因子调整的所述非收集电荷信号的所述非收集值确定由所述相邻阳极收集的电荷的校准值；

使用所述收集值和所述校准值来确定由所述像素化阳极和所述相邻阳极收集的电荷共享事件产生的总电荷，并且

如果使用所述收集值和所述校准值确定的所述电荷共享事件的总电荷超过预定值，则将所述电荷共享事件计数为与所述像素化阳极或所述相邻阳极之一相关的单个事件。

2.根据权利要求1所述的辐射检测器系统，其中，所述至少一个处理器被配置成确定与所述收集电荷信号和所述非收集电荷信号的和对应的组合值，并且使用在所述组合值和所述收集值之间的差值来确定所述非收集值。

3.根据权利要求2所述的辐射检测器系统，其中，所述至少一个处理器被配置成：

使用第一整形器产生第一成形信号，

使用所述第一成形信号确定所述收集值，

使用第二整形器产生第二成形信号，其中，所述第二整形器具有比所述第一整形器更高的频率，以及

使用所述第二成形信号确定所述组合值。

4.根据权利要求1所述的辐射检测器系统，其中，所述至少一个处理器被配置成当所述非收集值的强度超过预定值时，去除冗余计数的事件。

5.根据权利要求1所述的辐射检测器系统，其中，所述像素化阳极包括第一组阳极和第二组阳极的阵列，其中，所述至少一个处理器被配置成为所述第一组阳极而不是为所述第二组阳极确定由电荷共享事件产生的电荷。

6.根据权利要求1所述的辐射检测器系统，其中，所述像素化阳极包括第一组阳极和第二组阳极的阵列，其中，所述第一组阳极中的所述阳极被提供有第一电压，并且其中，所述第二组阳极中的所述阳极被提供有不同于所述第一电压的第二电压，其中，相邻阳极之间的电荷共享线被定位在由所述第一组阳极限定的边界内。

7.根据权利要求6所述的辐射检测器系统，其中，所述第一组阳极中的所述阳极限定第一表面区域，并且所述第二组阳极中的所述阳极限定第二表面区域，其中，所述第一表面区域大于所述第二表面区域，并且所述第二电压大于所述第一电压。

8.根据权利要求7所述的辐射检测器系统，其中，所述第一和第二电压被配置成提供用于所述第一组阳极的第一电荷收集区域和用于所述第二组阳极的第二电荷收集区域，其中所述第一电荷收集区域和所述第二电荷收集区域基本相同。

9.根据权利要求7所述的辐射检测器系统，其中，所述至少一个处理器被配置成为所述第一组阳极而不是为所述第二组阳极确定由电荷共享事件产生的电荷。

10.根据权利要求7所述的辐射检测器系统，其中，所述第一表面区域对应于八边形形状，并且所述第二表面区域对应于正方形形状。

11.根据权利要求1所述的辐射检测器系统，其中，所述至少一个处理器包括专用集成电路(ASIC)或现场可编程门阵列(FPGA)中的至少一个。

12.根据权利要求1所述的辐射检测器系统，其中，所述半导体检测器包括碲锌镉(CdZnTe或CZT)，碲化镉(CdTe)或硅(Si)中的至少一种。