[发明专利]脑神经刺激器电极装配

说明书

装配脑神经刺激器电极阵列包括：将至少第一电极定位在第一大脑半球中的希望的靶结构中，并且将至少第二电极定位在对侧大脑半球中的对应的靶结构中。将来自所述第一电极的电刺激施加到所希望的靶结构上。记录在所述第二电极处观察到的、响应于所述电刺激的神经反应。参照所记录的神经反应来评估所述第一电极和第二电极中的至少一者的装配。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2015年5月31日提交的澳大利亚临时专利申请号2015902021的权益，其通过援引并入本文。

技术领域

本发明涉及一种脑内神经调节，具体涉及一种用于监测由于刺激而产生的脑内活动的方法以便优化脑深部刺激器(DBS)电极阵列的植入和/或优化植入的DBS阵列的术后装配。

背景技术

神经调节涉及将电刺激施加到生物组织上以产生治疗效果。神经调节可以是非侵入性的，诸如通过经皮神经电刺激(TENS)、经颅磁刺激(TMS)；或当需要植入一个或多个电极并控制刺激器时是高度侵入性的，如在脑深部刺激(DBS)的情况下。DBS已经成为对晚期帕金森病的最有效的治疗，但是是一种高度侵入性的疗法：需要将两根引线深深植入小脑皮层下核并连接到胸部中植入的一个或多个脉冲发生器上。许多DBS电极靶结构已经被研究用于治疗多种多样的疾病，并且所述电极的优选位置取决于正治疗的疾病。在帕金森病的情况下，优选的靶是苍白球(GPi)的内段和丘脑底核(STN)。对于亨廷顿病和抽动秽语综合征，也以Gpi为靶，对于慢性抑郁和酒精依赖，以伏隔核为靶，并且对于阿尔茨海默病，以穹隆、下丘脑、以及Meynert基底核为靶。

帕金森病是一种影响黑质中的多巴胺释放细胞的退行性疾病。已经提出了许多描述基底神经节的功能以及这种退变与帕金森病如何相关的理论，然而，所有这类理论在描述帕金森病的所有方面具有明显不足，并且理解DBS机制仍是大量研究工作的焦点。

对DBS机制和基底神经节的理解不足的重要原因在于难以测量神经组织对刺激的直接反应。大多数发现是基于对传出结构的单细胞测量，并且直至最近，仍无法充分测量靶结构的直接复合反应，因为当记录接近于刺激部位时，大伪影(电或电极伪影)容易掩饰组织反应。

就此而论，植入DBS电极阵列典型地涉及通过立体定向术将所述阵列插入靶结构中，以便将所述电极阵列定位或实际装配在三维坐标所限定的位置。然而，鉴于患者之间在解剖学或神经学上的不同、以及每个电极触头相对于感兴趣的神经结构的相对较大的尺寸，立体定向术定位一般不会优化治疗效果或使刺激功率最小化。相应地，在手术植入之后，装置装配将典型地进一步包括通过试错法来临床探究刺激参数、并选择阵列中的电极和产生最佳治疗效果的刺激参数。

本说明书中已经包括的文献、行动、材料、装置、物品等等的任何讨论唯一地用于提供本发明的背景的目的。不应因为它在本申请的每项权利要求的优先权日之前存在就被看作是承认任何或所有这些事项形成现有技术基础的一部分或任何或是与本发明相关的领域中的公知常识。

贯穿本说明书，“包括(comprise)”一词或变化形式(例如“包括(comprises)”或“包括(comprising)”)应被理解为意指包括所陈述的要素、整体或步骤、或者要素、整体或步骤的群组，但不排除任何其他要素、整体或步骤、或者要素、整体或步骤的群组。

在本说明书中，要素可以是“选项清单中的至少一项”的陈述应被理解为要素可以是所列出的选项中的任何一项，或者可以是所列出的选项中的两项或更多项的任意组合。

发明内容

根据本发明的第一方面，提供了一种用于装配脑神经刺激器电极阵列的方法，所述方法包括：

将至少第一电极定位在第一大脑半球中的希望的靶结构中；

将至少第二电极定位在对侧大脑半球中的对应的靶结构中；

将来自所述第一电极的电刺激施加到所希望的靶结构上；