[发明专利]高性能持久存储器

说明书

实施例通常涉及具有脱机设备储存器的高容量能量后备存储器。存储器设备包括电路板；安装在电路板上的多个存储器芯片；控制器，当检测到电力丢失状况时控制器提供以用于备份存储器芯片的内容；到备用能量源的连接；以及到与存储器设备分离的备份数据储存器的连接。

技术领域

本文所描述的实施例通常涉及电子设备的领域，并且更具体地涉及具有易失性存储器性能的持久存储器解决方案。

背景技术

在不同类型的操作中可能需要计算处理，并且可以取决于特定的操作而选择不同类型的计算机存储器。在某些操作中，除了诸如DRAM（动态随机存取存储器）之类的易失性存储器之外或者作为其替代物，在针对操作存储器的至少一部分而利用非易失性存储器方面还存在优点。

计算系统通常包括易失性和非易失性存储器二者。由于易失性存储器在没有电力的情况下不保留内容，所以当从易失性存储设备移除电力时，易失性存储器的内容不再可用。通常在检测到电力丢失时，就将易失性存储器的内容移动到非易失性存储器。易失性和非易失性存储器类型二者都被提供，因为访问易失性存储器比访问非易失性存储器更快。

诸如双列直插存储器模块（DIMM）的存储器模块包括多个存储器设备。存储器设备可以包括易失性和非易失性存储器设备。

附图说明

这里所描述的实施例在附图中的各图通过示例而非限制的方式图示出，其中相同的附图标号指代相似的元件。

图1是具有脱机（off）模块储存器的能量后备混合存储器模块的实施例的图示；

图2是NVDIMM存储设备的图示；

图3是具有脱机模块加强储存器的能量后备混合存储器模块的实施例的图示；

图4是包括具有脱机模块加强储存器的能量后备混合存储器模块的系统的实施例的图示；

图5是利用NVDIMM设备的系统的图示；

图6是包括具有脱机设备加强储存器的能量后备混合存储器模块的系统的实施例的图示；

图7是根据实施例利用来图示用于恢复操作的过程的流程图；

图8是根据实施例的用于图示针对电力丢失情况下的存储器操作的过程的流程图；和

图9是包括具有脱机模块储存器的能量后备混合存储器模块的电子装置或系统的实施例的图示。

具体实施方式

本文所描述的实施例通常涉及高性能持久存储器。

为了本说明的目的：

“主存储器”或“主要存储器”是处理器或计算机主要访问程序和数据的计算机存储器。主存储器通常是易失性存储器，诸如动态随机存取存储器（DRAM）。

“非易失性存储器”意指在不连接到电源的情况下保留存储值的存储器。非易失性存储器可以包括但不限于包括在非易失性存储器芯片中的NAND存储器、NOR存储器或其它合适的非易失性存储器，诸如相变存储器（PCM）、字节可寻址的三维交叉点存储器、电阻存储器、纳米线存储器、铁电晶体管随机存取存储器（FeTRAM）、并入了忆阻器技术的磁阻随机存取存储器（MRAM）存储器、自旋传递转矩（STT）-MRAM、字节寻址随机存取非易失性存储器、和其他技术。如本文所使用的，NAND存储器可以被称为“NAND”。

“DIMM”或“双列直插存储器模块”意指包括电路板和多个计算机存储器集成电路（IC，也被称为存储器芯片）的模块，其中电路板在电路板的每一侧上包括单独的电触点以使得能够在每侧上安装电气元件。包括至少一些DRAM组件的DIMM可以被称为DRAM DIMM。