[发明专利]驱动装置

权利要求书

1.一种驱动装置，并联地驱动分别具有栅极的多个开关元件(20)，该多个开关元件(20)包含作为MOSFET的第一开关元件(21)及作为IGBT的第二开关元件(22)，其特征在于，该驱动装置具有：

驱动器(12)，向所述栅极供给电压；以及

控制部(11)，向所述驱动器输出控制信号来控制所述开关元件的通断，

作为控制模式，所述控制部具有使所述第一开关元件和所述第二开关元件双方均进行驱动的多驱动模式、以及仅使所述第一开关元件进行驱动的单驱动模式，

所述控制部在所述单驱动模式下将应向所述第一开关元件的栅极施加的栅极电压设定为小于所述多驱动模式下的栅极电压的箝位电压。

2.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，

所述控制部在切断所述多个开关元件时，从所述多驱动模式经过规定时间的所述单驱动模式而将所述多个开关元件切断。

3.根据权利要求2所述的驱动装置，其特征在于，

所述规定时间被基于所述第一开关元件的输出端子间的电位差设定在所述第一开关元件的短路耐受量以下。

4.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，

所述控制部在接通所述多个开关元件时，先于所述多驱动模式实施所述单驱动模式而接通所述第一开关元件。

5.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，

还具有电流检测部(14)，该电流检测部(14)检测流经所述第二开关元件的输出电流，

所述电流检测部在与所述多个开关元件对应的多个输出电流路径中设于所述第二开关元件的输出电流路径。

6.根据权利要求1所述的驱动装置，其特征在于，

将应向所述第一开关元件的栅极施加的所述栅极电压设为第一栅极电压，

还具有检测向所述第二开关元件的栅极施加的第二栅极电压的栅极电压检测部(15)，

所述控制部以利用所述栅极电压检测部检测出的所述第二栅极电压在规定阈值以下为条件，将所述第一开关元件的所述第一栅极电压设定为所述箝位电压。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的驱动装置，其特征在于，

所述第一开关元件是以碳化硅为主要成分的MOSFET，所述第二开关元件是以硅为主要成分的IGBT。