[发明专利]氧化硅膜的选择性沉积

权利要求书

1.一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法，包括以下步骤：

将氧化硅层选择性地沉积于在基板的表面上形成的图案化特征中，其中

所述图案化特征包括一或多个侧壁以及在所述图案化特征的底部处的沉积表面，并且所述侧壁中的每一个侧壁具有基部和帽部，其中所述帽部包含氮化硅而所述基部包含氧化硅，并且所述帽部的表面积是所述侧壁的表面积的至少三分之一而所述基部的表面积是所述侧壁的表面积的至少一部分，

其中所述沉积表面本质上由硅构成，以及

选择性沉积的氧化硅层通过使所述图案化特征暴露于四乙氧基硅烷(TEOS)和臭氧而形成在所述沉积表面上从而从所述图案化特征的所述底部填充所述图案化特征，使得所述选择性沉积的氧化硅层邻近所述基部和所述帽部。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

在将氧化硅层选择性地沉积于所述图案化特征中之后，将所述选择性沉积的氧化硅层退火。

3.如权利要求2所述的方法，进一步包括以下步骤：

在将所述选择性沉积的氧化硅层退火之后，湿法蚀刻所述氧化硅层。

4.如权利要求1所述的方法，其中所述臭氧以所述TEOS和所述臭氧的总质量流率的10％至18％的质量流率比率流入处理腔室。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述TEOS和所述臭氧流入处理腔室，并且在操作期间所述处理腔室中的压力为200Torr至700Torr之间。

6.如权利要求1所述的方法，进一步包括以下步骤：

在将氧化硅层选择性地沉积于图案化特征中之前，使所述图案化特征暴露于含氮等离子体。

7.如权利要求6所述的方法，其中使所述图案化特征暴露于含氮等离子体的步骤包括以下步骤：用从含氮等离子体形成的离子束定向处理所述图案化特征。

8.一种用于在基板上选择性地形成氧化硅层的方法，包括以下步骤：

将氧化硅层选择性地沉积于在基板的表面上形成的图案化特征中，其中

所述图案化特征包括一或多个侧壁以及在所述图案化特征的底部处的沉积表面，并且所述侧壁中的每一个侧壁具有基部和帽部，其中所述帽部包含氮化硅而所述基部包含氧化硅，

所述沉积表面本质上由硅构成，以及

选择性沉积的氧化硅层通过以下方式而形成在所述沉积表面上：

使四乙氧基硅烷(TEOS)和臭氧在所述图案化特征上流动从而从所述图案化特征的所述底部填充所述图案化特征，使得所述选择性沉积的氧化硅层邻近所述基部和所述帽部；

在填充所述图案化特征之后，蚀刻所述选择性沉积的氧化硅层以优先蚀刻所述图案化特征中的来自所述帽部的所述选择性沉积的氧化硅层，同时沿着所述基部的所述选择性沉积的氧化硅层保持完整；以及

重复使四乙氧基硅烷(TEOS)和臭氧在所述图案化特征上流动的步骤以及蚀刻所述选择性沉积的氧化硅层的步骤。

9.如权利要求8所述的方法，进一步包括以下步骤：

在将氧化硅层选择性地沉积于在所述基板的表面上形成的图案化特征中之后，将所述选择性沉积的氧化硅层退火。

10.如权利要求8所述的方法，进一步包括以下步骤：

在将所述选择性沉积的氧化硅层退火之后，湿法蚀刻所述氧化硅层。

11.如权利要求8所述的方法，其中所述臭氧以所述TEOS和所述臭氧的总质量流率的10％至18％的质量流率比率流入处理腔室。

12.如权利要求8所述的方法，其中所述TEOS和所述臭氧流入处理腔室，并且在操作期间所述处理腔室中的压力为200Torr至700Torr之间。