[发明专利]用于减少非期望的涡流的系统和方法有效

专利信息
申请号: 201680027184.8 申请日: 2016-05-09
公开(公告)号: CN107851466B 公开(公告)日: 2021-08-10
发明(设计)人: N.拉思 申请(专利权)人: 阿尔法能源技术公司
主分类号: G21B1/05 分类号: G21B1/05;G21B1/00;G21B1/03
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 张凌苗;郑冀之
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 用于 减少 期望 涡流 系统 方法
【权利要求书】:

1.一种用于减小在导电结构中感生的非期望的涡流的方法,方法包括如下步骤:

在导电结构中感生第二组涡流之前,在导电结构中感生第一组涡流,其中第一组涡流具有与第二组涡流的分布基本上相等且在符号上相反的分布以在导电结构中感生第二组涡流时基本上抵消第二组涡流,其中导电结构是等离子体约束容器的壁。

2.根据权利要求1所述的方法,其中在导电结构中感生涡流的步骤包括如下步骤

使导电结构周围的线圈斜坡向上并保持在恒定电流处直至在导电结构中的所有涡流都已衰减为止,以及

中断到线圈的电流以允许在导电结构中激发第一组涡流,使通过结构的磁通量守恒。

3.根据权利要求1所述的方法,进一步包括使等离子体平移到导电结构中的步骤,其中平移等离子体向导电结构中注入通量,其在导电结构中感生第二组涡流,使导电结构中的涡流的振幅向后朝着零减小。

4.根据权利要求2所述的方法,进一步包括使等离子体平移到导电结构中的步骤,其中平移等离子体向导电结构中注入通量,其在导电结构中感生第二组涡流,使导电结构中的涡流的振幅向后朝着零减小。

5.根据权利要求1所述的方法,其中在导电结构中感生涡流的步骤包括如下步骤

使导电结构周围的线圈斜坡向上并保持在恒定电流处以在导电结构中产生第一组涡流,以及

使等离子体平移到导电结构中,其中平移等离子体向导电结构中注入通量,其在导电结构中感生第二组涡流,使导电结构中的涡流的振幅向后朝着零减小。

6.一种用于减小在等离子体约束容器壁中感生的非期望的涡流的系统,系统包括:

等离子体约束容器,其具有壁和内部,

多个线圈,其被围绕着容器安置,以及

控制系统,其被耦合到所述多个线圈并被配置成在等离子体约束容器的壁中感生第二组涡流之前在等离子体约束容器的壁中感生第一组涡流,其中第一组涡流具有与第二组涡流的分布基本上相等且在符号上相反的分布以在等离子体约束容器的壁中感生第二组涡流时基本上抵消第二组涡流。

7.根据权利要求6所述的系统,其中控制系统被进一步配置成使所述多个线圈斜坡向上并保持在恒定电流处直至等离子体约束容器的壁中的所有涡流都已衰减为止,并且然后中断到所述多个线圈的电流以允许在等离子体约束容器的壁中激发第一组涡流,使通过等离子体约束容器的通量守恒。

8.根据权利要求7所述的系统,进一步包括被附着到等离子体约束容器的端的形成区段,其中控制系统被进一步配置成使等离子体从形成区段平移到等离子体约束容器的内部中,其中平移等离子体向等离子体约束容器的壁中注入通量,其在等离子体约束容器的壁中感生第二组涡流,使等离子体约束容器的壁中的涡流的振幅向后朝着零减小。

9.根据权利要求6所述的系统,其中控制系统被进一步配置成使所述多个线圈斜坡向上并保持在恒定电流处以在等离子体约束容器的壁中产生第一组涡流。

10.根据权利要求9所述的系统,进一步包括被附着到等离子体约束容器的端的形成区段,其中控制系统被进一步配置成使等离子体从形成区段平移到等离子体约束容器的内部中,其中平移等离子体向等离子体约束容器的壁中注入通量,其在等离子体约束容器的壁中感生第二组涡流,使等离子体约束容器的壁中的涡流的振幅向后朝着零减小。

11.一种用于减小在等离子体约束容器的壁中感生的非期望的涡流的方法,方法包括如下步骤:

在具有壁和内部的等离子体约束容器的壁中感生第二组涡流之前,在等离子体约束容器的壁中感生第一组涡流,其中第一组涡流具有与第二组涡流的分布基本上相等且在符号上相反的分布以在等离子体约束容器的壁中感生第二组涡流时基本上抵消第二组涡流。

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