[发明专利]具有高品质因数的MEMS谐振器

权利要求书

1.一种MEMS谐振器，包括：

硅层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

布置在所述硅层的所述第一表面上方的至少一个金属层和布置在所述硅层的所述第二表面下方的至少一个对应的金属层；以及

布置在所述硅层的所述第一表面上方的压电层和布置在所述硅层的所述第二表面下方的对应的压电层，

所述MEMS谐振器在振动模式期间以在与所述第一表面以及所述第二表面平行延伸的平面内振动的面内振动模式进行振动，

所述至少一个金属层包括一对第一金属层，其中所述压电层布置在所述一对第一金属层之间。

2.根据权利要求1所述的MEMS谐振器，其中，所述至少一个金属层和所述至少一个对应的金属层相对于彼此、关于所述硅层对称地布置，并且所述压电层和所述对应的压电层相对于彼此、关于所述硅层对称地布置。

3.根据权利要求1所述的MEMS谐振器，其中，所述至少一个对应的金属层包括一对第二金属层，其中所述对应的压电层布置在所述一对第二金属层之间。

4.根据权利要求3所述的MEMS谐振器，其中，所述一对第一金属层和所述压电层相对于所述一对第二金属层和所述对应的压电层、关于所述硅层对称地布置。

5.根据权利要求3所述的MEMS谐振器，其中，所述一对第一金属层电耦合至电压源以致动所述MEMS谐振器。

6.根据权利要求5所述的MEMS谐振器，其中，所述一对第二金属层电耦合至所述电压源。

7.根据权利要求5所述的MEMS谐振器，其中，所述一对第二金属层与所述电压源电绝缘。

8.根据权利要求3所述的MEMS谐振器，其中，所述压电层具有与所述对应的压电层的厚度基本上相等的厚度。

9.根据权利要求8所述的MEMS谐振器，其中，所述一对第一金属层中的每个第一金属层均具有与所述一对第二金属层的相应厚度基本上相等的厚度。

10.根据权利要求1所述的MEMS谐振器，其中，所述压电层具有与所述对应的压电层的厚度基本上相等的厚度。

11.根据权利要求10所述的MEMS谐振器，其中，所述至少一个金属层具有与所述至少一个对应的金属层的厚度基本上相等的厚度。

12.根据权利要求1所述的MEMS谐振器，其中，所述硅层具有在5微米与30微米之间的厚度。

13.根据权利要求1所述的MEMS谐振器，其中，所述MEMS谐振器在振动模式期间不沿厚度方向移动。

14.一种MEMS谐振器，包括：

硅层，其具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；

一对第一金属层，其布置在所述硅层的所述第一表面上方；

第一压电层，其布置在所述一对第一金属层之间；

一对第二金属层，其相对于所述一对第一金属层对称地布置在所述硅层的所述第二表面下方；以及

第二压电层，其布置在所述一对第二金属层之间，

所述MEMS谐振器在振动模式期间以在与所述第一表面以及所述第二表面平行延伸的平面内振动的面内振动模式进行振动。

15.根据权利要求14所述的MEMS谐振器，其中，所述一对第一金属层电耦合至电压源以致动所述MEMS谐振器。

16.根据权利要求15所述的MEMS谐振器，其中，所述一对第二金属层与所述电压源电绝缘。

17.根据权利要求14所述的MEMS谐振器，其中，所述硅层具有在5微米与30微米之间的厚度。