[发明专利]一种低热阻、应力受控的激光二极管组件

权利要求书

1.一种激光二极管组件，其特征在于，包括一个半导体激光二极管，所述二极管包括一个排列在横向方向上的发射区阵列，所述发射区阵列穿过所述二极管的前端面，所述二极管包括一个底部主表面和一个相对的顶部主表面，所述前端面在所述顶部和底部主表面之间正交延伸，所述组件包括一个散热器，一个底部小平板设置在所述散热器与所述二极管底部主表面之间，所述底部小平板设置在垂直于所述二极管主面的方向，并提供了从所述二极管到所述散热器的热流，所述底部小平板使用合适的焊接材料安装到位，一个顶部小平板设置并安装在所述二极管顶部主表面，所述底部和顶部小平板尺寸及材料的选择，以满足在所述二极管与所述散热器之间创建低热阻及应力受控的条件为目的。

2.如权利要求1所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板与所述顶部小平板由相同材料构成。

3.如权利要求2所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板与所述顶部小平板的材料选自钼，硅，和Cu_xW化合物其中x≤8。

4.如权利要求2所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板与所述顶部小平板的材料选自Cu_xW化合物，其中x≥12。

5.如权利要求1所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板与所述顶部小平板由不同材料构成。

6.如权利要求5所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板与所述顶部小平板分别由钼，硅，和Cu_xW化合物，其中x≤8，中的不同材料构成。

7.如权利要求1所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板与所述顶部小平板厚度相同。

8.如权利要求7所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板与所述顶部小平板的厚度为100微米-300微米。

9.如权利要求1所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板与所述顶部小平板厚度不同。

10.如权利要求9所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板的厚度小于所述顶部小平板的厚度，所述底部小平板的厚度越小，到散热片路径的热阻越小。

11.如权利要求9所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板的厚度为50微米-200微米，所述顶部小平板的厚度为100微米-300微米。

12.如权利要求1所述激光二极管组件，其特征在于，所述焊接材料的固相温度不低于200℃，用于将所述底部小平板安装到所述散热器与所述二极管底部主表面之间。

13.如权利要求12所述激光二极管组件，其特征在于，所述焊接材料包含AuSn。

14.如权利要求12所述激光二极管组件，其特征在于，所述焊接材料不低于200℃，用于将所述顶部小平板安装到所述二极管顶部主表面上。

15.如权利要求14所述激光二极管组件，其特征在于，所述焊接材料包含AuSn。

16.如权利要求1所述激光二极管组件，其特征在于，所述半导体激光二极管包括基于III-V族半导体激光二极管，表现出的热膨胀系数为6.5ppm/K，所述散热器包括具有16ppm/K的热膨胀系数的铜材料。

17.如权利要求16所述激光二极管组件，其特征在于，所述底部小平板和所述顶部小平板由热膨胀系数为2ppm/K至6ppm/K的材料构成。