[发明专利]液晶介质

说明书

本发明涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质，其中R¹和R^1*各自彼此独立地表示具有1‑15个C原子的烷基或烷氧基，其中，在这些基团中的一个或多个CH₂基团也可各自彼此独立地被‑C≡C‑、‑CF₂O‑、‑CH＝CH‑、‑O‑、‑CO‑O‑、‑O‑CO‑以O原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子也可被卤素替代，A¹表示L¹表示F、Cl、CF₃、OCF₃或CHF₂，并涉及其用于电光目的的用途，特别是用于3D应用的快门眼镜，用在TN、PS‑TN、STN、TN‑TFT、OCB、IPS、PS‑IPS、FFS、PS‑FFS和PS‑VA‑IPS显示器中。

本发明涉及包含至少一种式I化合物的液晶介质，

其中

R¹和R^1*各自彼此独立地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中，在这些基团中的一个或多个CH₂基团也可各自彼此独立地被-C≡C-、-CF₂O-、-CH＝CH-、-O-、-CO-O-、-O-CO-以O 原子不彼此直接连接的方式替代，和其中，一个或多个H原子也可被卤素替代，

A¹表示

L¹表示F、Cl、CF₃、OCF₃或CHF₂。

液晶通常用作显示器件中的电介质，因为这种物质的光学性能可以通过施加的电压来改变。基于液晶的电光器件对于本领域技术人员而言是众所周知的，且可以基于各种效应。这种器件的实例是具有动态散射的盒、DAP(排列相畸变)盒、宾/主盒、具有扭曲向列结构的TN盒、 STN(超扭曲向列)盒、SBE(超双折射效应)盒和OMI(光学模型干涉) 盒。最常见的显示器件基于Schadt-Helfrich效应且具有扭曲向列结构。

液晶材料必须具有良好的化学和热稳定性，以及良好的电场和电磁辐射稳定性。另外，液晶材料应具有低粘度且在盒中产生短的寻址时间、低的阈值电压和高的对比度。

另外，它们应在常规操作温度，即在高于和低于室温的尽可能宽的范围内具有适合的介晶相，例如对于上述盒而言是向列或胆甾醇介晶相。由于液晶通常以多种组分的混合物来使用，所以重要的是这些组分容易彼此混溶。其它性能，如电导率、介电各向异性和光学各向异性，必须根据盒类型和应用领域而满足各种要求。例如，用于具有扭曲向列结构的盒的材料应具有正介电各向异性和低电导率。

例如，对于具有用于切换各个像素的集成非线性元件的矩阵液晶显示器(MLC显示器)，期望具有大的正介电各向异性、宽的向列相、相对低的双折射、极高的电阻率、良好的UV和温度稳定性以及较低的蒸气压的介质。

这类矩阵液晶显示器是已知的。可用于单独切换各个像素的非线性元件的实例为有源元件(即晶体管)。因此，使用术语有源矩阵，其中可以区分为两种类型：

1.在作为基底的硅晶片上的MOS(金属氧化物半导体)或其它二极管。

2.在作为基底的玻璃板上的薄膜晶体管(TFT)。

将单晶硅作为基底材料使用限制了显示器的尺寸，因为甚至是各种分显示器的模块组装也会在接头处产生问题。

在优选的更具前景的类型2的情况下，所用的电光效应通常为TN 效应。区分为两种技术：包含化合物半导体例如CdSe的TFT，或基于多晶硅或非晶硅的TFT。对于后一种技术，全世界范围内正在进行深入的工作。