[发明专利]具有在相应引导孔内改进的滑动运动且在不同的操作条件下将探针恰当地保持在测试头内的带垂直探针的测试头在审

专利信息
申请号: 201680024264.8 申请日: 2016-03-11
公开(公告)号: CN107533084A 公开(公告)日: 2018-01-02
发明(设计)人: 罗伯特·克里帕;拉斐尔·瓦劳利;埃马努埃莱·贝塔雷利;丹尼尔·佩雷戈 申请(专利权)人: 泰克诺探头公司
主分类号: G01R1/067 分类号: G01R1/067;G01R1/073;H01R13/24;H01R13/42
代理公司: 北京市铸成律师事务所11313 代理人: 张臻贤,李够生
地址: 意大利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 具有 相应 引导 改进 滑动 运动 不同 操作 条件下 探针 恰当 保持 测试 垂直
【权利要求书】:

1.一种用于对电子设备进行功能性测试的具有垂直探针的测试头(20),所述测试头(20)包括至少一对板状支撑件(22,23),所述至少一对板状支撑件(22,23)彼此隔开合适间隙(29)并且设置有相应的引导孔(24,25A,25B)以便可滑动地容纳多个接触探针(21),每个接触探针(21)包括沿预设纵轴(HH)在第一端和第二端(26,27)之间延伸的杆状主体(21'),所述第一端为适于贴靠在正在测试的设备(28)的接触焊盘(28A)上的接触尖端(26),并且所述第二端为适于贴靠在空间转换器(31)的接触焊盘(31A)上的接触头(27),其特征在于,至少一个所述支撑件(23)包括至少一对引导件(23A,23B),所述至少一对引导件(23A,23B)彼此平行、由另外的间隙(29')隔开以及设置有对应的引导孔(25A,25B),并且每个接触探针(21)包括从其侧壁(32d,32s)之一突出的至少一个突出元件或挡块(30),所述侧壁(32d,32s)与所述引导件(23A,23B)的至少一所述引导孔(25A,25B)的一个壁(35d,35s,36d,36s)接触。

2.根据权利要求1所述的测试头(20),其中所述接触头(27)的直径大于所述引导件(23A,23B)的所述引导孔(25A,25B)的直径,从而防止所述接触头(27)通过所述引导孔(25A,25B)。

3.根据权利要求1所述的测试头(20),其中所述挡块(30)在所述至少一个支撑件(23)附近、在所述至少一个支撑件(23)和所述另外的支撑件(22)之间实现。

4.根据权利要求1所述的测试头(20),其中所述挡块(30)在所述至少一个支撑件(23)的所述引导件(23A,23B)之间、在所述另外的间隙(29')中实现。

5.根据前述权利要求中任一项所述的测试头(20),其中所述接触探针(21)包括另外的挡块(30A),其从所述至少一个挡块(30)从其突出的相同壁(32d,32s)突出。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的测试头(20),其中所述接触探针(21)包括另外的挡块(30A),其从关于所述至少一个挡块(30)从其突出的所述壁(32d,32s)的相对壁(32s,32d)突出。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的测试头(20),其中所述接触探针(21)包括至少另外三个挡块(30A,30B,30C),所述四个挡块从所述接触探针(21)的所述壁(32d,32s)成对地突出并且被布置成关于所述纵轴(HH)对称,所述第一和第三挡块(30,30B)被布置在所述至少一个支撑件(23)和所述另外的支撑件(22)之间,并且所述第二和第四挡块(30A,30C)被布置在所述至少一个支撑件(23)的所述引导件(23A,23B)之间。

8.根据前述权利要求中任一项所述的测试头(20),其中所述接触探针(21)还包括凹口(40),所述凹口在所述接触探针(21)的、与所述至少一个挡块(30)从其突出的所述壁(32d)相对的壁(32s)中实现。

9.根据权利要求8所述的测试头(20),其中所述凹口(40)实现为所述接触探针(21)的所述杆状主体(21')中的凹部,该凹部具有与所述至少一个挡块(30)的侧向凸起相当的尺寸。

10.根据前述权利要求中任一项所述的测试头(20),其中所述至少一个挡块(30)具有尺寸与所述接触探针(21)的直径相当并且优选在5至40微米之间的侧向凸起。

11.根据前述权利要求中任一项所述的测试头(20),其中所述至少一个挡块(30)被布置为与所述至少一个支撑件(23)相距一定距离(D),该距离(D)小于所述接触尖端(26)从所述另外的支撑件(22)突出到所述测试头(20)外部的长度(Lp)与所述另外的支撑件(22)的厚度(Sp)之和。

12.根据前述权利要求中任一项所述的测试头(20),其中所述至少一个挡块(30)包括至少一个具有圆形形状的底切壁(30sq)。

13.根据权利要求12所述的测试头(20),其中所述底切壁(30sq)的曲率半径(rc)在0.001μm与0.1μm之间。

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