[发明专利]具有增加的线性度的磁场传感器

权利要求书

1.一种磁场传感器，包括：

多个换能器支路，耦合在一起作为感测磁场的第一电路，其中每个换能器支路包括多个磁阻感测元件；以及

第二电路，包括第一多个电流线，其中所述第一多个电流线中的每个电流线与所述多个换能器支路中的换能器支路的对应的多个磁阻感测元件相邻；

其中，当所述第一多个电流线中的至少一个电流线被通电时，所述换能器支路中的每个磁阻感测元件的磁化在第一方向上对准或者在与所述第一方向相反的第二方向上对准，并且其中，所述至少一个电流线的布线图案被配置为生成磁化在第一方向和第二方向上对准的磁阻感测元件的等同布居。

2.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述多个磁阻感测元件布置在具有多个列和多个行的感测元件矩阵中，并且

其中所述第一多个电流线中的每个电流线被配置为生成使所述多个磁阻感测元件的磁化对准的磁场。

3.如权利要求2所述的磁场传感器，其中，当所述至少一个电流线被通电时，所述至少一个电流线的布线图案被配置为生成使所述多个列中的第一列的磁阻感测元件的磁化的对准与和所述第一列相邻的列中的磁阻感测元件的磁化相反的磁场。

4.如权利要求2所述的磁场传感器，其中，当所述至少一个电流线被通电时，所述至少一个电流线的布线图案被配置为生成使所述多个行中的第一行、所述多个列中的第一列的第一磁阻感测元件的第一磁化方向的对准与第一行、和第一列相邻的列中的第二磁阻感测元件的磁化方向相反并且使所述第一磁化方向与和第一行相邻的行、第一列中的第三磁阻感测元件的磁化方向相反的磁场。

5.如权利要求2所述的磁场传感器，其中，当所述至少一个电流线被通电时，所述至少一个电流线的布线图案被配置为生成使第一组邻接的M列磁阻感测元件的对准与直接相邻的第二组邻接的M列磁阻感测元件的基准磁化方向相反的磁场。

6.如权利要求2所述的磁场传感器，其中，当所述至少一个电流线被通电时，所述至少一个电流线的布线图案被配置为生成使所述多个列中的第一对邻接列的磁阻感测元件的对准与和所述第一对邻接列相邻的第二对邻接列中的磁阻感测元件的基准磁化方向相反的磁场。

7.如权利要求2所述的磁场传感器，其中，当所述至少一个电流线被通电时，所述至少一个电流线的布线图案被配置为生成使第一组邻接的N行磁阻感测元件的对准与直接相邻的第二组邻接的N行磁阻感测元件的基准磁化方向相反的磁场。

8.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述多个磁阻感测元件中的每个磁阻感测元件包括由非磁性绝缘势垒隔开的第一铁磁层和第二铁磁层。

9.如权利要求8所述的磁场传感器，其中所述第一铁磁层包括在磁场中自由旋转的磁化方向，并且其中所述第二铁磁层的磁化是基准磁化方向。

10.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述多个磁阻感测元件包括一个或多个隧道磁阻感测元件、巨磁阻感测元件和/或各向异性磁阻感测元件。

11.如权利要求1所述的磁场传感器，还包括：

包括第二多个电流线的第二电路，其中所述第二多个电流线中的每个电流线与所述多个磁阻感测元件中的对应磁阻感测元件相邻。

12.如权利要求11所述的磁场传感器，其中所述第二多个电流线中的至少一个电流线定位在所述第一多个电流线中的电流线的下方。

13.如权利要求11所述的磁场传感器，其中所述第二多个电流线中的至少一个电流线定位在所述第一多个电流线中的电流线的上方。

14.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述多个磁阻感测元件中的至少一个磁阻感测元件包括至少一个磁通引导器。

15.如权利要求14所述的磁场传感器，其中所述至少一个磁通引导器是包括高磁导率磁性材料的高纵横比垂直条。

16.如权利要求14所述的磁场传感器，其中所述至少一个磁通引导器定位在至少一个磁阻感测元件的上方。

17.如权利要求14所述的磁场传感器，其中所述至少一个磁通导向器定位在至少一个磁阻感测元件的下方。

18.如权利要求1所述的磁场传感器，其中所述第一电路是半桥电路或全桥电路。