[发明专利]太阳能电池背板用膜及使用了该太阳能电池背板用膜的太阳能电池背板以及太阳能电池在审
申请号: | 201680023781.3 | 申请日: | 2016-05-16 |
公开(公告)号: | CN107534067A | 公开(公告)日: | 2018-01-02 |
发明(设计)人: | 巽规行;堀江将人;千代敏弘;柴田优 | 申请(专利权)人: | 东丽株式会社 |
主分类号: | H01L31/049 | 分类号: | H01L31/049;B32B5/22;C08G63/00;C08J5/18;C08J9/00;C08K3/00;C08L67/00 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所11247 | 代理人: | 孙丽梅,段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 背板 使用 以及 | ||
1.一种太阳能电池背板用膜,是含有空洞的聚酯膜,
膜整体的空隙率为10%以上,
在该聚酯膜的厚度方向截面上,
从膜的一个表面向另一个表面引出与面方向垂直的线,将该从一个表面连接另一个表面的线在厚度方向上用下述3点进行4等分,分别经过上述3点引出与膜的面方向平行的线即分割水平线,上述3点是膜厚度方向中心点C1点、膜厚度方向中心点与膜表面的中间点C2-1点、C2-2点,
在将经过C1点的分割水平线上存在的每1个空洞的平均面积设为Sc(μm2),将经过C2-1点的分割水平线上存在的每1个空洞的平均面积设为Scs(μm2),将经过C2-2点的分割水平线上存在的每1个空洞的平均面积设为Scs’(μm2)时,(Sc/Scs)、(Sc/Scs’)的两者都为1.1以上35以下,构成聚酯膜的聚酯树脂的末端羧基量为35当量/吨以下,
另外,(Sc/Scs)、(Sc/Scs’)作为由聚酯膜的任意5处的与膜的长度方向平行地切断了膜的膜的厚度方向截面、以及与膜的宽度方向平行地切断了膜的膜的厚度方向截面获得的值的平均值而求出。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池背板用膜,其特征在于,聚酯膜的整体厚度为45μm以上。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池背板用膜,所述聚酯膜具有3层以上的叠层结构,构成两表层的树脂组合物中的至少一者的树脂组合物含有无机粒子,不具有表层的层含有空洞,其中将一个表层设为P2层,将另一个表层设为P2’层,将不具有表层的层设为P1层。
4.根据权利要求3所述的太阳能电池背板用膜,其特征在于,在将P1层的厚度设为T1(μm),将P2层的厚度设为T2(μm),将P2’层的厚度设为T2’(μm),将构成P2层的树脂组合物所包含的无机粒子浓度设为W2(质量%),将构成P2’层的树脂组合物所包含的无机粒子浓度设为W2’(质量%)时,
(T1/T2)×W2、(T1/T2’)×W2’中的至少一者为0.35以上1.50以下。
5.根据权利要求3所述的太阳能电池背板用膜,在将P1层的厚度设为T1(μm),将P2层的厚度设为T2(μm),将P2’层的厚度设为T2’(μm)时,T1/(T1+T2+T2’)为0.6以上0.99以下,T2/(T1+T2+T2’)和T2’/(T1+T2+T2’)为0.01以上0.2以下。
6.根据权利要求3所述的太阳能电池背板用膜,P2层的空隙率Ps和P2’层的空隙率Ps’为5.0%以下。
7.根据权利要求1或2所述的太阳能电池背板用膜,热导率为0.9W/m·K以下。
8.一种太阳能电池背板,是具有权利要求1~7中的任一项所述的太阳能电池背板用膜和至少1层以上功能层的太阳能电池背板,所述太阳能电池背板用膜的杨氏模量为4.0GPa以下,所述太阳能电池背板的杨氏模量为4.0GPa以下。
9.根据权利要求8所述的太阳能电池背板,所述功能层包含选自以下组1中的至少一种、或多种的组合,
组1:聚乙烯、聚丙烯、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物。
10.根据权利要求8所述的太阳能电池背板,所述功能层包含选自以下组2中的至少一种、或多种的组合,
组2:聚氟乙烯(PVF)、聚1,1-二氟乙烯(PVDF)、乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE)、四氟乙烯-六氟丙烯共聚物(FEP)。
11.根据权利要求8所述的太阳能电池背板,所述功能层包含聚氨酯。
12.根据权利要求8所述的太阳能电池背板,所述功能层包含无机化合物。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东丽株式会社,未经东丽株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680023781.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的