[发明专利]具有针对增强的耐热性的交错共射共基布局的功率放大器

权利要求书

1.一种射频放大器，包括：

输入节点和输出节点，分别被配置为接收信号和提供经放大的信号；以及

共射共基器件的阵列，其实现在所述输入节点与所述输出节点之间以生成经放大的信号，并且包括布置在第一行中的多个共射共基器件和布置在第二行中的多个共射共基器件，每个共射共基器件包括以共射共基配置所布置的共发射极晶体管和共基极晶体管，所述第一行和所述第二行中的每行被配置为使得该行中的共射共基器件的共基极晶体管在相对于该行中的相邻的共射共基器件的共基极晶体管的对角线方位处，从而各个共基极晶体管相对于彼此以交错取向来定位，所述第一行中的共射共基器件的交错布置相对于所述第二行中的共射共基器件的交错布置是错位的，以避免共基极晶体管的直接行到行相邻的对。

2.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，在与非交错取向相比较时，共基极晶体管的交错取向提供对应行中最近对间距的增加。

3.根据权利要求2所述的射频放大器，其中，所述共基极晶体管被配置为比所述共发射极晶体管处理更多的功率。

4.根据权利要求3所述的射频放大器，其中，在与所述非交错取向相比较时，增加的间距导致更小的由所述射频放大器的操作引起的温度升高。

5.根据权利要求4所述的射频放大器，其中，所述交错取向所导致的温度升高小于所述非交错取向所导致的温度升高的一半。

6.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，所述共射共基器件中的至少一些并联地电连接，使得所述输入节点和所述输出节点中的每个是并联地电连接的所述共射共基器件的相应的公共节点。

7.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，所述第一行中的多个共射共基器件并联地电连接。

8.根据权利要求7所述的射频放大器，其中，所述第二行中的多个共射共基器件并联地电连接。

9.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，所述第一行和所述第二行中的每行中的多个共射共基器件耦接到公共输入和公共输出。

10.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，每个共射共基器件被配置为使得所述共发射极晶体管的基极耦接到所述输入节点，所述共发射极晶体管的集电极耦接到所述共基极晶体管的发射极，并且所述共基极晶体管的集电极耦接到所述输出节点。

11.根据权利要求10所述的射频放大器，其中，所述共基极晶体管的基极通过旁路电容耦接到所述共发射极晶体管的发射极。

12.根据权利要求1所述的射频放大器，其中，所述射频放大器是功率放大器。

13.根据权利要求12所述的射频放大器，其中，所述功率放大器被配置为用高电压电源操作。

14.一种半导体晶片，包括：

基板；以及

功率放大器，其实现在所述基板上并且被配置为接收和放大射频信号，所述功率放大器包括实现在输入节点与输出节点之间的共射共基器件的阵列，所述阵列包括布置在第一行中的多个共射共基器件和布置在第二行中的多个共射共基器件，每个共射共基器件包括以共射共基配置所布置的共发射极晶体管和共基极晶体管，所述第一行和所述第二行中的每行被配置为使得该行中的共射共基器件的共基极晶体管在相对于该行中的相邻的共射共基器件的共基极晶体管的对角线方位处，从而各个共基极晶体管相对于彼此以交错取向来定位，所述第一行中的共射共基器件的交错布置相对于所述第二行中的共射共基器件的交错布置是错位的，以避免共基极晶体管的直接行到行相邻的对。