[发明专利]2TSONOS闪速存储器

权利要求书

1.一种装置，包括：

一个控制栅极晶体管，具有沉积在一个N阱中的源极和漏极扩散区，形成在与所述源极和漏极扩散区重叠的所述N阱上的一个电荷捕获区，以及形成在所述电荷捕获区的一个控制栅极，其中在所述源极和漏极扩散区之间的所述N阱的一个沟道区的长度小于90nm；以及，

一个选择栅极晶体管，具有沉积在所述N阱中的一个选择源极扩散区，其中所述选择栅极晶体管的一个漏极侧共享所述源极扩散区，其中在所述选择源极扩散区和所述源极扩散区之间的所述N阱的一个沟道区的长度小于90nm。

2.根据权利要求1的所述装置，其中位于所述源极和漏极扩散区之间的所述N阱的所述沟道区的长度为60-90nm。

3.根据权利要求1的所述装置，其中所述选择源极扩散区和所述源极扩散区之间的所述N阱的所述沟道区的长度为60-90nm。

4.根据权利要求1的所述装置，其中位于所述源极和漏极扩散区之间的所述N阱的所述沟道区与位于所述选择源极扩散区与所述源极扩散区之间的所述N阱的所述沟道区的长度小于30nm。

5.根据权利要求1的所述装置，其中所述电荷捕获区包括一个氧化物-氮化物-氧化物(ONO)层。

6.根据权利要求1的所述装置，其中所述电荷捕获区包括一个浮置栅极层。

7.根据权利要求1的所述装置，其中所述控制栅极晶体管和所述选择栅极晶体管包括沟道金属氧化物半导体(PMOS)器件。

8.根据权利要求1的所述装置，其中所述控制栅极晶体管和所述选择栅极晶体管包括N型金属-氧化物-半导体(NMOS)器件。

9.根据权利要求1的所述装置，其中所述控制栅极晶体管和所述选择栅极晶体管形成一个闪速存储器储单元。

10.根据权利要求9的所述装置，还包括一个控制器，其与所述闪速存储器单元通信控制栅极(CG)、选择栅极(SG)、位线(BL)、源极线(SL)和N阱(NW)信号。

11.根据权利要求10的所述装置，其中所述控制器控制所述CG、SG、BL、SL和NW信号，以使用带间隧穿(BTBT)注入对所述闪速存储器单元进行编程。

12.根据权利要求11的所述装置，其特征在于：所述控制器设定编程偏置条件以使用所述BTBT注入对所述闪速存储器单元进行编程，并且其中所述编程偏置条件包括(SL＝VDD)、(BL＝0伏)、(SG＝VDD)、(N阱＝5伏)，和(CG＝5伏)。

13.根据权利要求11的所述装置，其中所述控制器控制所述CG、SG、BL、SL和NW信号，以在所述带间隧穿(BTBT)注入期间禁用所述选择栅极晶体管，以浮置所述源极扩散区，并且禁用所述源极和漏极扩散区之间的所述N阱的所述沟道区。

14.根据权利要求10的所述装置，其特征在于：所述控制器控制所述CG、SG、BL、SL和NW信号，以使用热电子辅助穿通(PAHE)注入对所述闪速存储器单元进行编程。

15.根据权利要求14的所述装置，其中所述控制器设置编程偏置条件以使用所述热电子辅助穿通(PAHE)注入来对所述闪速存储器单元进行编程，并且其中所述编程偏置条件包括(SL＝VDD)、(BL＝0伏)、(SG＝0伏)、(N阱＝5伏)和(CG＝5伏)。

16.根据权利要求14的所述装置，其中所述控制器控制所述CG、SG、BL、SL和NW信号，以在所述PAHE注入期间促成所述选择栅极晶体管能够在所述源极扩散区上设置一个选择的电压电平，以促成一个穿通电流能够在位于所述源极和漏极扩散区之间的所述N阱的沟道区中流动，以促成所述热电子辅助穿通(PAHE)注入。