[发明专利]半导体封装件及其制造方法在审
申请号: | 201680020112.0 | 申请日: | 2016-04-04 |
公开(公告)号: | CN107431048A | 公开(公告)日: | 2017-12-01 |
发明(设计)人: | 金知澔 | 申请(专利权)人: | 天津威盛电子有限公司 |
主分类号: | H01L23/28 | 分类号: | H01L23/28;H01L23/552 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所11399 | 代理人: | 朱健,陈国军 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 封装 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体封装件及上述半导体封装件的制造方法,上述半导体封装件包括:基板;金属端子,形成于上述基板;半导体部件,安装于上述基板;电磁波屏蔽层,包围上述半导体部件而形成,并与上述金属端子直接接触;模具,包围上述电磁波屏蔽层。
背景技术
在现代社会,使用电子设备是必不可少的,在多种领域中的各种电子设备的使用率暴增的同时数字/半导体技术发达,精密电子设备发达,其应用范围变得广泛。从中产生的电磁波干扰包括电波噪声干扰,引起精密电子设备的相互误操作及对人体产生的生物体坏影响等,因而在生态系统中,电子能量影响成为非常大的问题。
尤其,半导体装置通常与多种电/电子设备集成地进行配置,这种情况下,从电/电子设备中直接辐射或传导的电磁波有可能对互不相同的电子设备的接收功能产生干扰。因此,绝对需要小型化及集成化的便携式终端中所使用的半导体装置需要如下方法:因不必要的电磁信号或电磁噪声而产生所需的电子信号的接收干扰的电磁干扰(EMI,Electo Magnetic Interference)的有效屏蔽方法。
以往的EMI屏蔽方法有电磁干扰屏蔽(EMI Shield)方式,通过这种方式从使用电子产品的过程中产生的电磁波中进行保护。在这种EMI屏蔽方法中,如图1所示,使金属端子露出在基板的侧面,进行模制之后,形成多层金属膜,从而实现了EMI屏蔽的特性。
但是,在以往的EMI屏蔽方法中,由于在基板及部件的周围形成金属膜来实现屏蔽特性,因而存在如下问题,需要在最后一层单独形成防氧化层,以防止金属膜自身氧化,在模具上由激光等体现的打标的可视性降低。并且,不仅具有严重的工程制约,而且还存在产品本身的耐久性也变得脆弱,工程费用高,生产率低,EMI屏蔽效果也不高的缺点。
发明内容
技术问题
本发明用于解决上述的现有技术的问题,以往在形成包围基板和部件的模具之后,将多个金属膜使用于电磁波屏蔽方法中,但本发明的目的在于,提供在模具内部实现电磁波屏蔽物的半导体封装件。
并且,本发明的目的在于,提供如下的半导体封装件,作为用于金属屏蔽的电磁波屏蔽层的制造方法,可使用镀敷、溅射、金属喷涂等多种方法来形成,电磁波屏蔽层还可形成在多个半导体部件之间,还可在保护膜上以无弯曲的方式平平地形成。
解决问题的方案
用于解决如上所述的问题的本发明一实施例的半导体封装件,其特征在于,包括:基板;金属端子,形成于上述基板;半导体部件,安装于上述基板;电磁波屏蔽层,包围上述半导体部件而形成,并与上述金属端子直接接触;模具,包围上述电磁波屏蔽层。
此时,本发明一实施例的半导体封装件,其特征在于,还包括保护膜,上述保护膜涂敷于上述金属端子及上述半导体部件上而形成,上述电磁波屏蔽层包围上述保护膜而形成。
并且,本发明一实施例的半导体封装件,其特征在于,上述保护膜去除与上述金属端子相连的部分来使上述金属端子露出,上述电磁波屏蔽层形成于去除的保护膜部分上,与露出的上述金属端子直接接触。此时,本发明的特征在于,半导体部件为声表面波(SAW)滤波器。
并且,本发明一实施例的半导体封装件,其特征在于,在上述半导体部件上以具有既定的规定厚度的方式形成,本发明的特征在于,上述电磁波屏蔽层形成于两个以上的上述半导体部件之间,对上述半导体部件之间的电磁波干扰进行屏蔽,本发明的特征在于,上述电磁波屏蔽层在上述半导体部件上以无弯曲的方式平平地形成。
并且,本发明一实施例的半导体封装件,其特征在于,上述电磁波屏蔽层为金属膜,本发明的特征在于,上述电磁波屏蔽层通过镀敷、溅射、金属喷涂或印刷中的至少一种方法来形成。
并且,本发明一实施例的半导体封装件,其特征在于,还可包括用于使上述半导体部件接地的接地板,上述金属端子通过通孔与上述接地板相连接。
另一方面,本发明一实施例的半导体封装件的制造方法,其特征在于,包括:步骤(a),将金属端子形成于基板;步骤(b),在上述基板安装半导体部件;步骤(d),包围上述半导体部件来形成电磁波屏蔽层;步骤(e),形成包围上述电磁波屏蔽层的模具。
此时,本发明一实施例的半导体封装件的制造方法,其特征在于,还包括步骤(c),在上述步骤(c)中,在上述金属端子及上述半导体部件上涂敷保护膜而形成,在上述步骤(d)中,上述电磁波屏蔽层包围上述保护膜而形成。
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