[发明专利]用于具有主动反馈的基带滤波器的线性化方案有效
| 申请号: | 201680019379.8 | 申请日: | 2016-03-08 |
| 公开(公告)号: | CN107438952B | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
| 发明(设计)人: | B·S·阿苏里;A·P·乔施;G·拉简德兰 | 申请(专利权)人: | 高通股份有限公司 |
| 主分类号: | H04B1/00 | 分类号: | H04B1/00;H04B1/30 |
| 代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;吕世磊 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 用于 具有 主动 反馈 基带 滤波器 线性化 方案 | ||
1.一种用于线性化基带滤波器的装置,包括:
第一传导模块,被配置为接收第一电流信号;
转换模块,被配置为接收第二电流信号、基于所述第二电流信号生成电压信号、并且将所述电压信号施加到所述第一传导模块,其中由所述转换模块接收的所述第二电流信号的量取决于流过所述第一传导模块的所述第一电流信号的量;以及
第二传导模块,被配置为基于所述电压信号控制输出电流信号,其中针对带内频率,所述输出电流信号被控制为所述第一电流信号的线性副本。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述转换模块包括双二次放大器,并且所述第一传导模块包括第一电容器、第一电阻器和被配置为基于来自所述双二次放大器的所述电压信号来操作的第一晶体管,
其中所述双二次放大器的非反相输入耦合到电流源,
其中所述第一晶体管的漏极耦合到所述电流源,所述第一晶体管的栅极耦合到所述双二次放大器的输出,并且所述第一晶体管的源极耦合到所述第一电容器的第一节点和所述第一电阻器的第一节点,以及
其中所述第一电容器的第二节点和所述第一电阻器的第二节点耦合到接地节点。
3.根据权利要求2所述的装置,其中当所述第一晶体管被配置为基于来自所述双二次放大器的所述电压信号来操作时,所述第一晶体管被配置为使所述第一电流信号从所述第一晶体管的漏极到源极流向所述第一电容器和所述第一电阻器,以及
其中流过所述第一晶体管的所述第一电流信号的量取决于由所述第一电容器存储的与所述第一电流信号相关联的能量的量以及由所述第一电阻器耗散的与所述第一电流信号相关联的能量的量。
4.根据权利要求3所述的装置,其中在高于最高带内频率的频率处,流过所述第一晶体管的所述第一电流信号的量减小了由所述双二次放大器接收的所述第二电流信号的量。
5.根据权利要求2所述的装置,其中所述第二传导模块包括第二电阻器、第二电容器、第三电阻器和第二晶体管,
其中所述第二电阻器的第一节点耦合到所述双二次放大器的输出和所述第一晶体管的栅极,并且所述第二电阻器的第二节点耦合到所述第二电容器的第一节点和所述第二晶体管的栅极,
其中所述第二电容器的第一节点耦合到所述第二电阻器的第二节点和所述第二晶体管的栅极,并且所述第二电容器的第二节点耦合到所述接地节点,
其中所述第三电阻器的第一节点耦合到所述第二晶体管的源极,并且所述第三电阻器的第二节点耦合到所述接地节点,
其中所述第二晶体管的源极耦合到所述第三电阻器的第一节点,以及
其中所述输出电流信号流过所述第二晶体管的漏极。
6.根据权利要求5所述的装置,其中所述输出电流信号通过以下方式被控制为所述第一电流信号的线性副本:
所述双二次放大器使所述电压信号跨越所述第二电阻器流动以施加到所述第二晶体管的栅极,以及
所述第二晶体管基于施加到所述第二晶体管的栅极的所述电压信号来操作,并且使所述输出电流信号在所述第二晶体管的漏极与源极之间流动。
7.根据权利要求6所述的装置,其中所述第二晶体管的栅极处的所述电压信号的量取决于由所述第二电阻器耗散的与所述电压信号相关联的能量的量以及在所述耗散之后由所述第二电容器存储的与所述电压信号相关联的能量的量。
8.根据权利要求6所述的装置,其中流过所述第二晶体管的所述输出电流信号的量取决于由所述第三电阻器耗散的与所述输出电流信号相关联的能量的量。
9.根据权利要求5所述的装置,其中所述第二晶体管的大小为所述第一晶体管的大小的n倍,其中n为实数。
10.根据权利要求5所述的装置,其中所述第一电阻器的值为所述第三电阻器的值的n倍,其中n为实数。
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