[发明专利]电子电路

权利要求书

1.一种电子电路，其特征在于，所述电子电路包括：

双稳态电路，该双稳态电路连接在被供应第一电源电压的第一电源和被供应低于所述第一电源电压的第二电源电压的第二电源之间，该双稳态电路包括连接成环状的第一反相器和第二反相器，所述第一反相器和所述第二反相器是被配置为在第一模式和第二模式之间切换的反相器电路；

控制电路，该控制电路被配置为将第一信号和第二信号输出至所述反相器电路，所述第一信号将所述反相器电路设定为所述第一模式，所述第二信号将所述反相器电路设定为所述第二模式；以及

电源供给电路，该电源供给电路被配置为在所述反相器电路处于所述第一模式时供应第一电压作为电源电压，所述第一电压是所述第一电源电压和所述第二电源电压之差，在所述反相器电路处于所述第二模式时供应高于所述第一电压的第二电压作为所述电源电压，其中

所述第一模式是在传递特性曲线中表现出滞后的模式且所述第二模式是在传递特性曲线中不表现出滞后的模式，并且/或者所述第一模式是传递特性曲线比所述第二模式的传递特性曲线陡的模式。

2.根据权利要求1所述的电子电路，其特征在于，

所述双稳态电路在所述第一模式下保持数据并且不写或读数据，并且在所述第二模式下写和读数据。

3.根据权利要求1或2所述的电子电路，其特征在于，

所述电源供给电路在所述控制电路已输出所述第一信号之后将所述第二电压切换为所述第一电压，并且在所述控制电路输出所述第二信号之前将所述第一电压切换为所述第二电压。

4.根据权利要求1或2所述的电子电路，其特征在于，

所述反相器电路在所述第一模式、所述第二模式和第三模式之间切换，

所述第三模式表现出比所述第一模式的滞后小的滞后，并且/或者具有比所述第二模式的传递特性曲线陡的传递特性曲线，

所述控制电路向所述反相器电路输出将所述反相器电路设定为所述第三模式的第三信号，并且

在所述反相器电路处于所述第三模式时，所述电源供给电路供应低于所述第二电压的第三电压作为所述电源电压。

5.根据权利要求1或2所述的电子电路，其特征在于，所述电子电路还包括：

开关，该开关被配置为与时钟信号同步地导通和截止，该开关位于由所述第一反相器和所述第二反相器形成的环路中；以及

时钟供给电路，该时钟供给电路被配置为在所述第一反相器和所述第二反相器处于所述第二模式时向所述开关供应所述时钟信号，并且在所述第一反相器和所述第二反相器处于所述第一模式时不向所述开关供应所述时钟信号。

6.根据权利要求1或2所述的电子电路，其特征在于，

所述反相器电路中的每一个包括：

一个或更多个第一P沟道FET，所述一个或更多个第一P沟道FET的源极联接至所述第一电源；

一个或更多个第一N沟道FET，所述一个或更多个第一N沟道FET的源极联接至所述第二电源，所述一个或更多个第一P沟道FET和/或所述一个或更多个第一N沟道FET是串联连接的多个第一FET；

输入节点，所述一个或更多个第一P沟道FET的栅极和所述一个或更多个第一N沟道FET的栅极共同联接至该输入节点；

输出节点，所述一个或更多个第一P沟道FET中的离所述第一电源最远的FET的漏极、和所述一个或更多个第一N沟道FET中的离所述第二电源最远的FET的漏极共同联接至该输出节点；以及

第二FET，该第二FET是第二P沟道FET和第二N沟道FET中的、导电类型与所述多个第一FET的导电类型相同的至少一个，所述第二FET的源极和漏极中的一个联接至位于所述多个第一FET之间的中间节点，所述第二FET的栅极联接至所述输出节点，所述第二FET的源极和漏极中的另一个联接至控制节点，所述第一信号和所述第二信号被输入至所述控制节点。