[发明专利]线栅起偏器的氧化和水分屏障层

权利要求书

1.一种线栅起偏器(WGP)，包括：

位于透明衬底表面上的肋，其中所述肋是细长的并且设置成阵列；

处于至少一部分肋之间的间隙；和

位于所述肋之上的共形涂层，所述共形涂层包括屏障层，所述屏障层包含氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铪、氧化锆和稀土氧化物中的至少一种，

其中：

屏障层包括具有不同材料的两层，包括氧化屏障和水分屏障；

氧化屏障包含氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、稀土氧化物或其组合；

水分屏障包括氧化铪、氧化锆、不同于氧化屏障中的稀土氧化物的稀土氧化物、或其组合；和

氧化屏障位于水分屏障和肋之间。

2.根据权利要求1所述的WGP，其中所述屏障层与所述肋不同。

3.根据权利要求1所述的WGP，其中所述肋的外表面的材料在25℃在水中的溶解度为至少0.015克/升。

4.根据权利要求1所述的WGP，其中所述肋的外表面的材料包括锗。

5.根据权利要求1所述的WGP，其中所述共形涂层具有小于15纳米的最大厚度。

6.根据权利要求5所述的WGP，其中所述氧化屏障具有小于5纳米的厚度，并且所述水分屏障具有小于5纳米的厚度。

7.一种制造线栅起偏器的方法，所述方法包括：

获得位于透明衬底表面上的肋阵列，所述肋是细长的，且在至少一部分肋之间具有间隙；和

通过气相沉积在所述肋上施加共形涂层的屏障层，包括施加氧化屏障，然后施加水分屏障，其中氧化屏障包含氧化铝、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、碳化硅稀土氧化物或其组合，水分屏障包括氧化铪、氧化锆、不同于氧化屏障中的稀土氧化物的稀土氧化物、或其组合。

8.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在施加屏障层之后通过气相沉积施加共形涂层的疏水层，其中疏水层的施加包括将WGP暴露于化学品，所述化学品包括(R¹)_iPO(R⁴)_j(R⁵)_k，其中：

i为1或2，j为1或2，k为0或1，且i+j+k＝3；

各R¹独立地为疏水基团；

R⁴为膦酸酯反应性基团；

各膦酸酯反应性基团独立地为：-Cl、-OR⁶、-OCOR⁶或-OH；

各R⁶独立地为烷基、芳基或其组合。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括在施加屏障层之后通过气相沉积施加共形涂层的疏水层，疏水层的施加包括将WGP暴露于化学品，所述化学品包括Si(R¹)_d(R²)_e(R³)_g，其中：

d为1、2或3，e为1、2或3，g为0、1或2，且d+e+g＝4；

各R¹独立地为疏水基团；

R²为硅烷反应性基团；和

各硅烷反应性基团独立地为：-Cl、-OR⁶、-OCOR⁶、-N(R⁶)₂或-OH；

各R⁶独立地为烷基、芳基或其组合；

各R³独立地为任意化学元素或基团。

10.根据权利要求7所述的方法，其中氧化屏障包含氧化铝和水分屏障包括氧化铪。