[发明专利]抗蚀剂图案被覆用涂布液及图案的形成方法

权利要求书

1.一种抗蚀剂图案被覆用涂布液，其包含：

具有下述式(1)所示的结构单元的聚合物，

选自N-甲基乙醇胺、α-[2-(甲基氨基)乙基]苄醇、1-乙酰胺萘、双(4-叔丁基苯基)胺、N,N-双(2-羟基乙基)-3-氯苯胺、双(4-碘苯基)胺、双(2-吡啶基甲基)胺、双(3-吡啶基甲基)胺、N-(叔丁氧基羰基)酪胺、N-苄氧羰基羟基胺、5-氯-2-硝基二苯基胺、N-肉桂酰基-N-(2,3-二甲苯基)羟基胺、枯基胺、环十二烷基胺、环庚基胺、1-乙酰胺金刚烷、O-乙酰基-N-苄氧羰基羟基胺、N-乙酰基-3,5-二甲基-1-金刚烷胺、N-乙酰基-2-(4-硝基苯基)乙基胺、1-金刚烷胺、N-烯丙基苄基胺和2-(二甲基氨基)乙醇中的一种以上胺，以及

能够溶解所述聚合物和胺的下述式(3)所示的酯，

式(1)中，R₁表示氢原子或甲基，L表示不具有取代基的二价的芳香族基团或-C(＝O)-O-基，该-C(＝O)-O-基的碳原子与聚合物的主链结合，X表示氢原子、或者碳原子数1～10的直链状或支链状的烷基或烷氧基，该烷基中的至少1个氢原子可以被卤原子或羟基取代，

式(3)中，R₅和R₆各自独立地表示碳原子数1～16的直链状或支链状的有机基团，

所述聚合物为由至少2种所述式(1)所示的结构单元组成的共聚物，该共聚物具有下述结构单元：L表示不具有取代基的二价的芳香族基团的结构单元，以及L表示-C(＝O)-O-基、X表示至少1个氢原子被羟基取代的碳原子数1～10的直链状或支链状的烷基的结构单元，

所述胺的含有比例相对于所述聚合物100质量％为20质量％～60质量％。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂图案被覆用涂布液，所述聚合物的重均分子量为1000～20000。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂图案被覆用涂布液，所述二价的芳香族基团为亚苯基或亚萘基。

4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂图案被覆用涂布液，所述聚合物为非水溶性聚合物。

5.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂图案被覆用涂布液，所述胺的标准沸点为60℃～300℃。

6.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂图案被覆用涂布液，所述酯为乙酸丁酯。

7.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂图案被覆用涂布液，所述胺为N-甲基乙醇胺或α-[2-(甲基氨基)乙基]苄醇。

8.一种孔图案、沟槽图案或线图案的形成方法，其包括下述工序：

在形成有下层膜的基板上形成抗蚀剂图案的工序，

以被覆所述抗蚀剂图案的方式涂布权利要求1～7中任一项所述的抗蚀剂图案被覆用涂布液的工序，

将涂布有所述抗蚀剂图案被覆用涂布液的基板在50℃～130℃进行加热的工序，以及

将所述加热了的基板进行冷却，用有机溶剂显影，从而形成被覆所述抗蚀剂图案的表面的膜的工序。

9.根据权利要求8所述的孔图案、沟槽图案或线图案的形成方法，在所述显影后，用漂洗液进行漂洗处理。

10.一种反转图案的形成方法，其包括下述工序：

以填充利用权利要求8或9所述的方法形成的孔图案或沟槽图案的方式或填充利用权利要求8或9所述的方法形成的线图案的图案间的方式，涂布包含聚硅氧烷和含有水和/或醇类的溶剂的填充用涂布液的工序，

除去或减少所述填充用涂布液所包含的聚硅氧烷以外的成分而形成涂膜的工序，

将所述涂膜回蚀而使所述孔图案、沟槽图案或线图案的上表面露出的工序，以及

将露出了上表面的所述孔图案、沟槽图案或线图案除去的工序。