[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，包括：

导电性的半导体基板；

第一绝缘膜，形成在所述半导体基板的耐压区域上；

齐纳二极管，形成在所述第一绝缘膜上，并且其N型半导体层与P型半导体层邻接配置；以及

第二绝缘膜，覆盖所述齐纳二极管，

其中，所述P型半导体层中P型掺杂物的浓度，比所述N型半导体层中N型掺杂物的浓度更低，

所述P型掺杂物的浓度峰值位于：作为所述P型半导体层与所述第一绝缘膜之间的界面区域的第一界面区域，与作为所述P型半导体层与所述第二绝缘膜之间的界面区域的第二界面区域之间的非界面区域上，

在所述P型半导体层中的所述第一界面区域中，导入有N型掺杂物。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述浓度峰值位于所述P型半导体层的总厚度中内侧80％的区域上。

3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述浓度峰值位于：从所述P型半导体层与所述第一绝缘膜之间的界面以及从所述P型半导体层与所述第二绝缘膜之间的界面分别隔开20nm以上的位置上。

4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，在所述P型半导体层中的所述第二界面区域中，导入有N型掺杂物。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述P型半导体层以及所述N型半导体层由多晶硅构成，所述第一绝缘膜以及/或所述第二绝缘膜由硅氧化膜构成。

6.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述P型掺杂物为硼。

7.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：

其中，进一步包括MOS构造，

在所述半导体基板的一个主面与另一个主面之间流通主电流，

在所述半导体基板的所述一个主面上，设置有：流通所述主电流的活性区域、以及包围所述活性区域的，并且包含所述半导体基板的周缘部的耐压区域，

所述齐纳二极管为：所述N型半导体层与所述P型半导体层交互地邻接配置后构成的过电压保护二极管。

8.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体基板为第一导电型，

所述半导体装置进一步包括：

第二导电型的扩散层，被选择性地形成在所述耐压区域的所述一个主面上，并且包围所述活性区域；

第一导电型的扩散区域，被形成在所述扩散层中；

发射极，被形成在所述扩散区域上；

栅电极，被形成在所述过电压保护二极管上；

第二导电型的集电极区域，被形成在所述半导体基板的所述另一个主面上；以及

集电极，被形成在所述集电极区域上。

9.根据权利要求7所述的半导体装置，其特征在于：

其中，所述半导体基板为第一导电型，

所述半导体装置进一步包括：

第二导电型的扩散层，被选择性地形成在所述耐压区域的所述一个主面上，并且包围所述活性区域；

第一导电型的扩散区域，被形成在所述扩散层中；

发射极，被形成在所述扩散区域上；

栅电极，被形成在所述过电压保护二极管上；

第一导电型的漏极区域，被形成在所述半导体基板的所述另一个主面上；以及

集电极，被形成在所述漏极区域上，并且与所述漏极区域形成肖特基势垒。