[发明专利]多输入可扩展整流器下降检测器

权利要求书

1.一种下降检测器，包括：

多个输入节点，每个输入节点被配置为接收电源电压；

输出节点；

多个检测器模块，每个检测器模块包括：耦合到每个输入节点的输入端子、耦合到所述输出节点的输出端子；以及输入跟踪单元，所述输入跟踪单元被配置作为电压跟随器，用以检测耦合到每个输入节点的所述电源电压中的下降，并且在所述电源电压上检测到所述下降时在所述输出端子上输出跟随所述电源电压的输出电压，

其中每个检测器模块被配置为在每个检测器模块在其输入处没有检测到下降、而所述多个检测器模块中的其他检测器模块在所述多个输入节点中的其他输入节点处检测到至少一个下降时，提供非线性反馈以暂时将每个检测器模块的输出端子与所述输出节点断开；以及

比较器，所述比较器耦合到所述输出节点，并且被配置为在检测到所述下降时输出控制信号。

2.根据权利要求1所述的下降检测器，其中每个检测器模块还包括设置在所述输入端子与所述输入跟踪单元之间的交流(AC)耦合模块。

3.根据权利要求2所述的下降检测器，其中所述AC耦合模块被配置为形成包括电容器和电阻器的高通滤波器。

4.根据权利要求3所述的下降检测器，其中所述输入跟踪单元包括：

第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，包括栅极端子、源极端子和漏极端子；以及

运算放大器，所述运算放大器包括耦合到所述第一PMOS晶体管的栅极端子的输出引脚、耦合到所述第一PMOS晶体管的源极端子的负输入引脚、以及通过所述AC耦合模块的电容器耦合到每个检测器模块的输入端子的正输入引脚。

5.根据权利要求4所述的下降检测器，还包括

第一电流源，所述第一电流源耦合到电压源和所述第一PMOS晶体管的源极端子。

6.根据权利要求4所述的下降检测器，其中每个检测器模块还包括偏移消除模块，所述偏移消除模块耦合到所述第一PMOS晶体管的漏极端子，并且被配置为减少所述多个检测器模块之间的失配诱导下降检测范围差异。

7.根据权利要求6所述的下降检测器，其中所述偏移消除模块包括电压钳，所述电压钳包括n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管、第二PMOS晶体管、电阻器、电容器和第二电流源。

8.根据权利要求7所述的下降检测器，还包括

第三电流源，所述第三电流源耦合到电压源和所述第二PMOS晶体管。

9.根据权利要求1所述的下降检测器，其中所述比较器被配置为将所述输出电压与参考电压进行比较，以确定在至少一个电源电压中检测到所述下降。

10.根据权利要求1所述的下降检测器，还包括

带通滤波器，所述带通滤波器设置在所述输出节点与所述比较器之间，以仅传递所述输出电压的在预定范围内的频率。

11.一种用以检测多个电源电压中的下降的电路，包括：

输出节点；

多个检测器模块，每个检测器模块具有输入端子和输出端子，每个检测器模块的输入端子用以接收多个电源电压中的电源电压，多个检测器模块的输出端子在所述输出节点处耦合在一起，

其中每个检测器模块还包括用以检测所述电源电压中的所述下降的输入跟踪回路，

其中每个检测器模块还包括偏移消除回路，以实质上减少所述多个检测器模块之间的失配诱导下降检测范围差异；

滤波器，所述滤波器耦合到所述输出节点，并且被配置为传递所述输出节点处的电压的在预定范围内的频率；以及

比较器，所述比较器耦合到所述滤波器，并且被配置为在所述电源电压中检测到所述下降时输出控制电压。