[发明专利]与三维存储器器件集成的无源器件

说明书

三维存储器器件，包含含有多个非易失性存储器器件的存储器器件区域、含有有源驱动器电路器件的外围器件区域以及外围器件区域和存储器器件区域之间的阶梯表面区域，阶梯表面区域含有多个无源驱动器电路器件。

相关申请的交叉引用

本申请要求2015年6月15日提交的申请号为14/739，284和2015年6月15日提交的申请号为14/739，354的美国非临时申请的优先权，前述申请的全部内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开总体上涉及半导体器件的领域，并且具体涉及与三维存储器器件兼容的无源器件及其制造方法。

背景技术

无源器件是指提供具有或不具有与正弦电输入成线性比例的相位变化的输出的器件。无源器件不具有打开或关闭输出的能力。无源器件包含例如电阻器、电容器和电感器。除了诸如晶体管的有源器件之外，半导体电路常规地使用无源器件。

发明内容

根据本公开的一个方面，提供了一种三维存储器器件，包括含有多个非易失性存储器器件的存储器器件区域，含有有源驱动器电路器件的外围器件区域以及外围器件区域和存储器器件区域之间的第一阶梯表面区域，其含有多个无源驱动器电路器件。根据本公开的另一个方面，提供了一种包括电容器的组的器件，所述器件包括交替层的堆叠体，交替层包含位于基板之上的电绝缘层和导电层，其中每个下层的导电层位于堆叠体内，并且具有至少一个上层的导电层，上层的导电层比下层的导电层侧向地延伸得更远，以形成堆叠体的侧上的阶梯表面区域，以及电介质材料部分，电介质材料部分位于堆叠体的阶梯表面区域之上，其中在电介质材料部分和堆叠体之间的界面包含水平表面和垂直表面的连续组，以提供阶梯表面区域。器件还包括位于沟槽内的电介质填充材料部分的组，沟槽垂直地延伸穿过交替层的堆叠体，并且侧向地在阶梯表面区域中接触交替层的堆叠体的侧壁，以及多个接触通孔结构，其与交替层的堆叠体内的各自的导电层接触。导电层构成电容器的组的导电部件，并且电绝缘层的子组构成电容器的组的节点电介质，组中的每个电容器包括第一节点以及第二节点，第一节点含有各自的垂直相邻对的下层的导电层和从下层的导电层向上延伸并穿过电介质材料部分的各自的接触通孔结构，第二节点含有各自的垂直相邻对的上层的导电层和从上层的导电层向上延伸并穿过电介质材料部分的各自的接触通孔结构。

根据本公开的另一个方面，一种形成存储器器件的方法包括：在存储器器件区域中形成多个存储器器件；在存储器器件区域外侧形成多个无源器件；以及在一个沉积步骤中形成导电层，使得导电层的第一部分包括无源器件中的至少一个的部分，并且导电层的第二部分形成至少一个存储器器件的部分。

根据本公开的另一个方面，提供了一种半导体器件，包括：位于基板之上的第一材料层和第二材料层的交替堆叠体，至少一个柱结构，其从含有交替堆叠体的顶表面的第一水平平面延伸穿过交替堆叠体的至少一部分，侧向地延伸的半导体或导电结构，其接触至少一个柱结构的底表面，以及接触通孔结构，其接触侧向地延伸的半导体或导电结构的顶表面并与至少一个柱结构侧向地间隔开。至少一个柱结构中的每一个包括其中的至少一个掺杂半导体材料部分，并且至少一个柱结构内的每个半导体材料部分具有相同的第二导电型的掺杂。

根据本公开的另一个方面，一种形成至少一个电阻器结构的方法，包括：形成基板之上的第一材料层和第二材料层的交替堆叠体，并且从包含交替堆叠体的顶表面的第一水平平面到侧向地延伸的半导体或导电结构形成至少一个垂直地延伸的腔。侧向地延伸的半导体或导电结构的顶表面的物理地暴露的部分存在于位于第一水平平面之下的交替堆叠体中的第二水平平面内。该方法还包括在至少一个垂直地延伸的腔中的每一个内形成包括柱结构的电阻器，其中每个柱结构包括至少一个掺杂半导体材料部分，并且其中柱结构内的每个半导体材料具有相同的第二导电型的掺杂，以及形成接触通孔结构，其与侧向地延伸的半导体或导电结构的顶表面的另一部分接触。

附图说明