[发明专利]抽头式电感器压控振荡器

权利要求书

1.一种压控振荡器，其特征在于，包括：

谐振器，包括电容元件和电感元件，所述电感元件包括一个抽头电感，所述抽头电感包括构成物理环路的至少一个导电段和从所述抽头电感中心引出两个抽头导电段，所述抽头电感包括四个端子，所述四个端子为第一端子、第二端子、第三端子和第四端子；

差分放大器，包括差分输入端和差分输出端，所述差分输入端耦合到所述第一端子和所述第四端子，所述差分输出端耦合到所述第二端子和所述第三端子，其中，所述第二端子和所述第三端子分别设于所述两个抽头导电段。

2.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述抽头电感包括第一导电段和第二导电段，所述差分输入端耦合到所述第一导电段形成第一阻抗，所述差分输出端耦合到所述第二导电段形成第二阻抗，所述差分放大器的输入电压大于分压器所确定的输出电压，所述分压器由所述第一阻抗和所述第二阻抗构成。

3.根据权利要求2所述的压控振荡器，其特征在于，所述输入电压超出所述差分放大器的电源电压。

4.根据权利要求2或3所述的压控振荡器，其特征在于，所述第一阻抗与所述第二阻抗成正比。

5.根据权利要求1所述的压控振荡器，其特征在于，所述放大器具有CMOS拓扑。

6.根据权利要求5所述的压控振荡器，其特征在于，所述差分放大器包括第一PMOS晶体管、第二PMOS晶体管、第一NMOS晶体管和第二NMOS晶体管，所述第一PMOS晶体管的源极和所述第二PMOS晶体管的源极耦合到正电源轨，所述第一PMOS晶体管的栅极耦合到所述第一端子，所述第二PMOS晶体管的栅极耦合到所述第四端子，所述第一PMOS晶体管的漏极耦合到所述第三端子，所述第二PMOS晶体管的漏极耦合到所述第二端子。

7.根据权利要求6所述的压控振荡器，其特征在于，

所述第一PMOS晶体管的栅极和所述第一NMOS晶体管的栅极均耦合到所述第一端子，所述第二PMOS晶体管的栅极和所述第二NMOS晶体管的栅极均耦合到所述第四端子；

所述第一PMOS晶体管的漏极和所述第一NMPOS晶体管的漏极均耦合到所述第三端子，所述第二PMOS晶体管的漏极和所述第二NMOS晶体管的漏极均耦合到所述第二端子。

8.一种与计算机一起使用的非瞬时性计算机可读介质，其特征在于，所述计算机具有用于创建集成电路的软件，所述计算机可读介质上存储有一个或多个计算机可读数据结构，所述一个或多个计算机可读数据结构具有用于制造压控振荡器的光掩膜数据，所述压控振荡器包括：

谐振器，包括电容元件和电感元件，所述电感元件包括一个抽头电感，所述抽头电感包括构成物理环路的至少一个导电段和从所述抽头电感中心引出两个抽头导电段，所述抽头电感包括四个端子，所述四个端子为第一端子、第二端子、第三端子和第四端子；

差分放大器，包括差分输入端和差分输出端，所述差分输入端耦合到所述第一端子和所述第四端子，所述差分输出端耦合到所述第二端子和所述第三端子，其中，所述第二端子和所述第三端子分别设于所述两个抽头导电段。

9.根据权利要求8所述的非瞬时性计算机可读介质，其特征在于，所述抽头电感包括第一导电段和第二导电段，所述差分输入端耦合到所述第一导电段形成第一阻抗，所述差分输出端耦合到所述第二导电段形成第二阻抗，所述差分放大器的输入电压大于分压器所确定的输出电压，所述分压器由所述第一阻抗和所述第二阻抗构成。

10.根据权利要求9所述的非瞬时性计算机可读介质，其特征在于，所述输入电压超出所述差分放大器的电源电压。

11.根据权利要求9或10所述的非瞬时性计算机可读介质，其特征在于，所述第一阻抗与所述第二阻抗成正比。

12.根据权利要求8所述的非瞬时性计算机可读介质，其特征在于，所述放大器具有CMOS拓扑。