[发明专利]存储器件有效
| 申请号： | 201680016607.6 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN107735875B | 公开（公告）日： | 2020-07-17 |
| 发明（设计）人： | 朴在勤;崔珍永 | 申请（专利权）人： | 汉阳大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/08;H01L43/10 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 延美花;臧建明 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 存储 器件 | ||
【权利要求书】：
1.一种存储器件，其特征在于，在基板上以层叠的方式形成有下部电极、缓冲层、种子层、磁隧道结、覆盖层、合成交换半磁性层及上部电极，上述合成交换半磁性层包括单层的第一磁性层、非磁性层及多层结构的第二磁性层。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，上述下部电极由多结晶导电物质形成。
3.根据权利要求2所述的存储器件，其特征在于，还包括形成于上述下部电极与上述种子层之间且由包含钽的物质形成的缓冲层。
4.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，上述磁隧道结的自由层包括：
第一自由层，进行水平磁化；
分离层，未进行磁化；以及
第二自由层，进行垂直磁化。
5.根据权利要求4所述的存储器件，其特征在于，上述第一自由层及第二自由层由包含CoFeB的物质形成，上述第一自由层的厚度大于上述第二自由层的厚度。
6.根据权利要求1所述的存储器件，其特征在于，上述覆盖层由bcc结构的物质形成。
7.根据权利要求1至6中的一项所述的存储器件，其特征在于，上述第一磁性层及第二磁性层由包含Pt的物质形成。
8.根据权利要求7所述存储器件，其特征在于，上述第一磁性层呈Co/Pt的单层，上述第二磁性层呈Co/Pt至少层叠2次以上的多层结构。
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