[发明专利]配线基板

权利要求书

1.一种配线基板，其为具有绝缘基板(18)、配置在所述绝缘基板(18)表面的表面配线层(20、22)、以及配置在所述绝缘基板(18)内部的内部配线层(24)的配线基板，其特征在于，

所述绝缘基板(18)的结晶相至少以Al₂O₃或含有Al₂O₃的化合物为主晶相，所述Al₂O₃的晶体粒径小于1.5μm，

所述表面配线层(20、22)和所述内部配线层(24)含有铜和钨、或者铜和钼、或者铜和钨及钼，

所述钨和钼的粒径小于1.0μm，

所述表面配线层(20、22)和所述内部配线层(24)的表面粗糙度Ra小于2.5μm。

2.根据权利要求1所述的配线基板，其特征在于，至少所述表面配线层(20、22)与所述绝缘基板(18)之间的粘接强度为2kgf/mm²以上。

3.根据权利要求1所述的配线基板，其特征在于，所述绝缘基板(18)为烧结体。

4.根据权利要求2所述的配线基板，其特征在于，所述绝缘基板(18)为烧结体。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的配线基板，其特征在于，所述绝缘基板(18)的结晶相，除了所述主晶相之外，仅含有BaAl₂Si₂O₈结晶相。

6.根据权利要求5所述的配线基板，其特征在于，所述绝缘基板(18)含有以Al₂O₃换算计89.0～92.0质量％的Al、以SiO₂换算计2.0～5.0质量％的Si、以MnO换算计2.0～5.0质量％的Mn、以MgO换算计0～2.0质量％的Mg、以BaO换算计0.05～2.0质量％的Ba。

7.根据权利要求1～4中任一项所述的配线基板，其特征在于，所述绝缘基板(18)的结晶相以Al₂O₃和ZrO₂为主晶相，此外还含有Mn₃Al₂(SiO₄)₃或MgAl₂O₄的结晶相。

8.根据权利要求7所述的配线基板，其特征在于，其含有以Al₂O₃换算计70.0～90.0质量％的Al、以ZrO₂换算计10.0～30.0质量％的Zr；在将Al₂O₃与ZrO₂的合计设为100质量％时，含有以MnO换算计2.0～7.0质量％的Mn、以SiO₂换算计2.0～7.0质量％的Si、以BaO换算计0.5～2.0质量％的Ba、以MgO换算计0～2.0质量％的Mg。

9.根据权利要求1～4中任一项所述的配线基板，其特征在于，所述绝缘基板(18)的结晶相以3Al₂O₃·2SiO₂为主晶相，此外还含有Al₂O₃和ZrO₂。

10.根据权利要求9所述的配线基板，其特征在于，其含有以Al₂O₃换算计40.0～70.0质量％的Al、以ZrO₂换算计5.0～40.0质量％的Zr、以SiO₂换算计10.0～30.0质量％的Si、以MnO换算计2.0～8.0质量％的Mn。

11.根据权利要求10所述的配线基板，其特征在于，其含有Ba、Ti、Y、Ca及Mg中的至少一种元素，

在将Al₂O₃、ZrO₂、SiO₂和MnO的合计设为100质量％时，

在含有Ba的情况下，以BaO换算计含有1.5质量％以下，

在含有Ti的情况下，以TiO₂换算计含有1.5质量％以下，

在含有Y的情况下，以Y₂O₃换算计含有1.5质量％以下，

在含有Ca的情况下，以CaO换算计含有1.5质量％以下，

在含有Mg的情况下，以MgO换算计含有1.5质量％以下。