[发明专利]薄膜晶体管制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法包括：

在基板的上形成栅极、栅极绝缘层以及有源层；

在所述栅极绝缘层和有源层上形成保护层；

图案化所述保护层以在所述有源层上形成蚀刻阻挡层；

在所述有源层、蚀刻阻挡层及栅极绝缘层上形成金属层；

在所述金属层的第一区域涂覆光敏层；

去除部分所述光敏层显露覆盖所述蚀刻阻挡层上的部分所述金属层的第一区域；以及

去除所述金属层露出部分所述蚀刻阻挡层；

所述方法还包括：

图案化所述保护层以在所述栅极绝缘层上形成位于所述蚀刻阻挡层两侧的支撑层；

在所述支撑层上形成金属层以及在所述金属层上形成光敏层；

去除部分所述光敏层显露位于所述支撑层上的部分所述金属层；

去除所述金属层显露部分所述支撑层；以及

去除所述支撑层。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法还包括：去除剩余的光敏层显露剩余的金属层以形成源极和漏极。

3.如权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法还包括：去除所述蚀刻阻挡层以形成所述薄膜晶体管的沟道区域。

4.如权利要求2或3所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，去除部分所述光敏层显露覆盖所述蚀刻阻挡层上的部分所述金属层的第一区域的步骤及去除所述金属层显露部分所述蚀刻阻挡层的步骤包括：

等离子灰化工艺去除部分所述光敏层以显露覆盖所述蚀刻阻挡层的部分第一区域，使剩余的光敏层覆盖金属层的另一部分第一区域，并且剩余的光敏层位于露出的部分金属层两侧形成自对准平面；

蚀刻工艺去除所述露出部分第一区域并露出所述蚀刻阻挡层，蚀刻后的剩余的金属层的表面与所述自对准平面对齐。

5.如权利要求2所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，在所述金属层的第一区域涂覆光敏层的步骤包括：在所述金属层的第一区域形成有光刻胶层，图案化光刻胶层形成正投影覆盖所述有源层及蚀刻阻挡层的光阻敏层。

6.如权利要求5所述薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所述方法还包括去除露出所述光敏层两侧的金属层第一区域以外的金属层的步骤。

7.如权利要求6所述薄膜晶体管制造方法，其特征在于，去除露出所述光阻层两侧的部分金属层中采用湿蚀刻工艺或者干蚀刻工艺。

8.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，所保护层是有机材料、无机材料或者有机材料无机材料混合。

9.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，图案化所述保护层以在所述栅极绝缘层上形成蚀刻阻挡层的步骤及图案化所述保护层以在所述栅极绝缘层上形成位于所述蚀刻阻挡层两侧的支撑层的步骤通过同一道工艺完成。

10.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，在所述支撑层上形成金属层以及在所述金属层上形成光敏层的步骤、在所述有源层、蚀刻阻挡层及栅极绝缘层上形成金属层的步骤，以及在所述金属层的第一区域涂覆光敏层的步骤均是通过同一道工艺完成。

11.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，去除部分所述光敏层显露位于所述支撑层上的部分所述金属层的步骤与去除部分所述光敏层显露覆盖所述蚀刻阻挡层上的部分所述金属层的步骤是通过同一道工艺完成。

12.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，去除所述金属层显露部分所述支撑层的步骤与去除所述金属层露出部分所述蚀刻阻挡层的步骤是通过同一道工艺完成。

13.如权利要求1所述的薄膜晶体管制造方法，其特征在于，去除所述支撑层的步骤包括先去除剩余的光敏层的步骤。