[发明专利]二氧化硅膜及分离膜过滤器

权利要求书

1.一种二氧化硅膜，其中，

所述二氧化硅膜具有芳基，且利用能量分散型X射线分光法、亦即EDX法进行元素分析而得到的原子数比Si/C为0.2～15的范围，

所述二氧化硅膜是通过形成在透水量为0.5m/day～6.0m/day的范围的多孔质基材上而得到的，

傅里叶变换红外吸收光谱、亦即FT－IR中的、Si－O－Si键的吸收强度X与基于所述芳基的吸收强度Y的比值X/Y为5.0～200的范围。

2.根据权利要求1所述的二氧化硅膜，其中，

所述Si/C为0.5以上。

3.根据权利要求1所述的二氧化硅膜，其中，

所述Si/C为8.0以下。

4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的二氧化硅膜，其中，

所述二氧化硅膜的膜厚为30nm～300nm的范围。

5.根据权利要求1～3中的任意一项所述的二氧化硅膜，其中，

所述芳基为对甲苯基及苯基中的1种以上。

6.一种分离膜过滤器，其中，包括：

多孔质基材，和

被形成在所述多孔质基材上的权利要求1～5中的任意一项所述的二氧化硅膜。

7.根据权利要求6所述的分离膜过滤器，其中，

所述二氧化硅膜的膜附着量为0.3g/m²～5.2g/m²的范围。

8.根据权利要求6所述的分离膜过滤器，其中，

所述多孔质基材的透水量为0.5m/day～6.0m/day的范围。

9.根据权利要求6～8中的任意一项所述的分离膜过滤器，其中，

所述二氧化硅膜被形成在所述多孔质基材的超滤膜上，

所述超滤膜的平均细孔径为2nm～25nm的范围。

10.根据权利要求6～8中的任意一项所述的分离膜过滤器，其中，

所述二氧化硅膜被形成在所述多孔质基材的超滤膜上，

所述超滤膜的膜厚为0.2μm～5μm的范围。

11.根据权利要求6～8中的任意一项所述的分离膜过滤器，其中，

所述二氧化硅膜被形成在所述多孔质基材的超滤膜上，

所述超滤膜以Ti为主成分。