[发明专利]原子层沉积抑制材料

说明书

本发明提供一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，具有至少1个叔碳或季碳，且不具有酯基、羟基、羧基及酰亚胺基的含氟树脂构成。

技术领域

本发明涉及使用原子层沉积法的在基板上的选择性成膜方法。

背景技术

原子层沉积法(ALD：Atomic layer deposition)被用于各种电子部件例如电容器、半导体器件等的制造，例如，作为电极或配线的导电性薄膜、或作为介电层的绝缘性薄膜是通过ALD而形成的。在形成此种薄膜、尤其是形成作为电极或配线的导电性薄膜的情况下，需要用于在基板上的规定位置形成规定形状的薄膜的图案化技术。作为使用ALD的薄膜形成中的图案化技术，有若干报告。例如，在非专利文献1中记载有：在由异丙氧基钛(TiIP)与水蒸气(H₂O)的组合通过ALD将TiO₂成膜的情况下，不在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)上形成TiO₂膜，而将其作为原子层沉积抑制材料在基材上进行图案化，由此可选择性地成膜TiO₂膜。另外，在专利文献1及2中公开了：使用丙烯酸系树脂所代表的各种聚合物及有机硅氧烷作为原子层沉积抑制材料，由此可实现选择性的成膜。

先前技术文献

专利文献

专利文献1：日本特表2010-540773号公报

专利文献2：日本特表2011-501779号公报

非专利文献

非专利文献1：Area selective atomic layer deposition of titaniumdioxide：Effect of precursor chemistry，J.Vac.Sci.technol.B 24(6)

发明内容

发明所要解决的问题

如上所述的图案化技术对ALD条件、尤其是温度有限制，例如，非专利文献1的方法于超过200℃的条件下PMMA发生热分解而无法使用，引用文献1及2的方法也出于相同的理由，于超过250℃的条件下无法使用。另外，根据本发明人等的研究发现，在以往的图案化技术中，有抑制效果不充分的情形。

因此，本发明的目的在于，提供一种即便于高温条件下亦可使用、且抑制效果较高的原子层沉积抑制材料。

用于解决问题的手段

本发明人等为了解决上述问题而进行努力研究，结果发现，通过使用特定的含氟树脂，尤其是使用氟含量较高、具有叔碳或季碳、且不具有官能团的含氟树脂，从而即便于高温条件下也能够充分地获得原子层沉积的抑制效果，从而完成了本发明。

根据本发明的第1主旨，提供一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，具有至少1个叔碳或季碳，且不具有酯基、羟基、羧基及酰亚胺基的含氟树脂构成。

根据本发明的第2主旨，提供一种原子层沉积抑制材料，其由氟含量为30at％以上，且暴露于250℃的原子层沉积条件下时的氟含量的减少率为50％以下的含氟树脂构成。

根据本发明的第3主旨，提供一种原子层沉积抑制材料，其由暴露于250℃的原子层沉积条件下后的氟含量为25at％以上的含氟树脂构成。

根据本发明的第4主旨，提供一种原子层沉积抑制材料，其由下述式(I)：