[发明专利]单个基板上的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管和隧道场效应晶体管(TFET)

权利要求书

1.一种包括结构的装置，所述结构包括：

单个基板；

形成在所述单个基板上的平面互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管；

形成在所述单个基板上的平面隧道场效应晶体管(TFET)；以及

被包括在所述平面CMOS晶体管中或者被包括在所述平面TFET中的迁移率增强强度层。

2.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述迁移率增强强度层包括碳化硅或硅锗中的至少一者。

3.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述迁移率增强强度层对应于所述平面CMOS晶体管的n型源极或者所述平面CMOS晶体管的n型漏极。

4.如权利要求3所述的装置，其特征在于，所述n型源极和所述n型漏极包括碳化硅。

5.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述迁移率增强强度层对应于所述平面CMOS晶体管的p型源极或者所述平面CMOS晶体管的p型漏极。

6.如权利要求5所述的装置，其特征在于，所述p型源极和所述p型漏极包括硅锗。

7.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述迁移率增强强度层对应于所述平面TFET的p型源极或者所述平面TFET的n型漏极。

8.如权利要求7所述的装置，其特征在于，所述p型源极包括硅锗，并且其中所述n型漏极包括碳化硅。

9.如权利要求1所述的装置，其特征在于，所述迁移率增强强度层对应于所述平面TFET的n型源极或者所述平面TFET的p型漏极。

10.如权利要求9所述的装置，其特征在于，所述n型源极包括碳化硅，并且其中所述p型漏极包括硅锗。

11.一种包括结构的装置，所述结构包括：

单个基板；

形成在所述单个基板上的互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管；以及

形成在所述单个基板上的隧道场效应晶体管(TFET)，所述CMOS晶体管或所述TFET中的至少一者被配置成支持源极与漏极之间的垂直于所述单个基板的电流方向。

12.如权利要求11所述的装置，其特征在于，所述CMOS晶体管是鳍状场效应晶体管(finFET)。

13.如权利要求11所述的装置，其特征在于，进一步包括：

所述CMOS晶体管的第一n型源极和第一p型源极；以及

所述TFET的第一n型漏极和第一p型漏极，

其中所述第一n型源极、所述第一p型源极、所述第一n型漏极和所述第一p型漏极是共平面的。

14.如权利要求13所述的装置，其特征在于，进一步包括：

所述CMOS晶体管的第二n型漏极和第二p型漏极；以及

所述TFET的第二p型源极和第二n型源极，

其中所述第二n型漏极与所述第一n型源极对准，

其中所述第二p型漏极与所述第一p型源极对准，

其中所述第二p型源极与所述第一n型漏极对准，

其中所述第二n型源极与所述第一p型漏极对准，并且

其中所述第二n型漏极、所述第二p型漏极、所述第二n型源极和所述第二p型源极是共平面的。

15.如权利要求14所述的装置，其特征在于，进一步包括：

所述CMOS晶体管的第一本征层，所述第一本征层在所述第一n型源极与所述第二n型漏极之间；

所述CMOS晶体管的第二本征层，所述第二本征层在所述第一p型源极与所述第二p型漏极之间；

所述TFET的第三本征层，所述第三本征层在所述第一n型漏极与所述第二p型源极之间；以及

所述TFET的第四本征层，所述第四本征层在所述第一p型漏极与所述第二n型源极之间，

其中所述第一本征层、所述第二本征层、所述第三本征层和所述第四本征层是共平面的。

16.一种形成结构的方法，所述方法包括：

在单个基板上形成互补金属氧化物半导体(CMOS)晶体管；以及

在所述单个基板上形成隧道场效应晶体管(TFET)，所述CMOS晶体管或所述TFET中的至少一者被配置成支持源极与漏极之间的垂直于所述单个基板的电流方向。