[发明专利]具有集成无源组件的开关式功率级

权利要求书

1.一种集成芯片封装，其包括：

倒装芯片类型的集成电路IC芯片，其包含单芯片系统SoC及开关式电压调节器，所述开关式电压调节器包含串联耦合于较高电压电平连接与较低电压电平连接之间的至少第一开关及第二开关；

多层衬底，其具有腔，在所述腔中具有至少一个电感器，所述至少一个电感器具有散置着铁氧体材料的多个上部迹线层，所述电感器包含第一端及第二端；及

多个微凸块，其将所述IC芯片连接到所述衬底，包含将所述第一开关与所述第二开关之间的节点连接到所述电感器的所述第一端的微凸块。

2.根据权利要求1所述的集成芯片封装，其中所述电压调节器是多相电压调节器，且所述至少一个电感器包括多个电感器。

3.根据权利要求2所述的集成芯片封装，其中所述电压调节器包含多个开关对，所述开关对包含所述第一开关及所述第二开关，且所述多个电感器的面积与所述多个开关对的面积相同。

4.根据权利要求3所述的集成芯片封装，其中所述多个电感器被布置成电感器阵列，其中所述电感器阵列的至少电感器对经布置使得在所述电感器对以180度异相操作时所述电感器对的磁场的方向是对准的。

5.根据权利要求2所述的集成芯片封装，其中铜迹线中的至少一些铜迹线位于至少一个金属图案上方。

6.根据权利要求5所述的集成芯片封装，其中所述至少一个金属图案包含凸块。

7.根据权利要求6所述的集成芯片封装，其中所述至少一个金属图案包括两个金属图案。

8.根据权利要求7所述的集成芯片封装，其中所述两个金属图案各自具有不同金属。

9.一种倒装芯片封装，其包括：

倒装芯片类型的集成电路IC芯片，其包含单芯片系统SoC及多相电压调节器，所述多相电压调节器包含串联耦合的第一对晶体管及串联耦合的第二对晶体管；及

多层封装衬底，其具有多个重新分布层以及第一电感器及第二电感器，所述第一电感器及所述第二电感器由多个电镀迹线形成，所述第一电感器及所述第二电感器中的每一者包含第一端及第二端，所述多个电镀迹线由所述多层封装衬底的腔内的导电层形成，铁氧体材料在所述导电层中的至少一些导电层之间，且其中第一多个电镀迹线中的至少一者经配置以将所述第一电感器的所述第二端连接到所述第二电感器的所述第一端；及

多个凸块，其经配置以在多个节点处将所述IC芯片连接到所述多层封装衬底，所述多个节点包含供应节点、接地节点、负载输出节点及电感器节点，所述负载输出节点包含所述第一电感器的所述第二端与所述第二电感器的所述第一端之间的连接，所述电感器节点包含：经配置以将所述第一对晶体管之间的节点连接到第一电感器结构的所述第一端的节点；及经配置以将所述第二对晶体管之间的节点连接到第二电感器结构的所述第二端的节点。

10.根据权利要求9所述的倒装芯片封装，其中所述多相电压调节器进一步包含串联耦合的第三对晶体管及串联耦合的第四对晶体管，且

其中所述多层封装进一步具有由所述多个电镀迹线形成的第三电感器及第四电感器，所述第三电感器及所述第四电感器中的每一者包含第一端及第二端，且

其中所述第一多个电镀迹线中的所述至少一者进一步经配置以将所述第三电感器的所述第二端连接到所述第四电感器的所述第一端。

11.根据权利要求10所述的倒装芯片封装，其中所述多相电压调节器是四相电压调节器。

12.根据权利要求11所述的倒装芯片封装，其中所述四相电压调节器的第一相位及第三相位经配置以执行180度异相，且所述四相电压调节器的第二相位及第四相位经配置以执行180度异相。

13.根据权利要求9所述的倒装芯片封装，其中所述多个电镀迹线包括铜。

14.根据权利要求9所述的倒装芯片封装，其中所述第一电感器的大小经配置以与所述第一对晶体管中的每一者的大小匹配，且所述第二电感器的大小经配置以与所述第二对晶体管中的每一者的大小匹配。