[发明专利]用于循环与选择性材料移除与蚀刻的处理腔室有效
申请号: | 201680013408.X | 申请日: | 2016-08-02 |
公开(公告)号: | CN107408486B | 公开(公告)日: | 2020-07-03 |
发明(设计)人: | T·Q·特兰;S·朴;J·金;D·卢博米尔斯基 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32;H01L21/311;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人: | 侯颖媖 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 循环 选择性 材料 蚀刻 处理 | ||
1.一种处理腔室设备,包含:
腔室本体,限定处理区域且经配置以在所述处理区域中产生直接等离子体;
基板支撑组件,包含静电夹盘且设置于所述处理区域内;
源模块,包含耦接至所述腔室本体的板堆栈,其中所述板堆栈的等离子体阻挡筛网进一步限定所述处理区域并经配置以在所述源模块中产生远程等离子体;
陶瓷间隔件,设置为邻近于所述等离子体阻挡筛网;
陶瓷泵衬垫,设置为邻近于所述陶瓷间隔件;
流动模块,耦接至所述腔室本体,所述流动模块包括壁,所述壁径向地支撑所述基板支撑组件;
排气模块,包含耦接到所述流动模块的对称的流量阀及对称的涡轮分子泵;以及
上衬垫组件,设置在所述腔室本体内并且覆盖所述腔室本体和所述流动模块之间的界面。
2.如权利要求1所述的设备,其中所述源模块进一步包含:
RF功率源;
RF电极;
气体源;
气体歧管;及
气体入口管。
3.如权利要求2所述的设备,其中流量集中插入件设置于所述气体入口管内且邻近所述气体歧管。
4.如权利要求1所述的设备,其中所述板堆栈包含:
第一扩散器;
面板;
陶瓷环;
第二扩散器;
气体分配装置;及
等离子体阻挡筛网。
5.如权利要求4所述的设备,其中远程等离子体产生在所述面板和所述第二扩散器之间。
6.如权利要求4所述的设备,其中所述等离子体阻挡筛网经配置以防止直接等离子体产物流到所述板堆栈。
7.如权利要求4所述的设备,其中所述第一扩散器、所述面板、所述陶瓷环、所述第二扩散器、所述气体分配装置及所述等离子体阻挡筛网涂布有包含氧化钇或氧化铝的陶瓷涂层。
8.如权利要求1所述的设备,其中所述静电夹盘是单极静电夹盘、双极静电夹盘、或高温静电夹盘。
9.如权利要求8所述的设备,其中所述单极静电夹盘、所述双极静电夹盘和所述高温静电夹盘在径向上被分割成4区。
10.如权利要求3所述的设备,其中所述流量集中插入件中的开口具有0.125英寸的直径。
11.一种处理腔室设备,包含:
腔室本体,限定处理区域;
基板支撑组件,包含静电夹盘且设置在所述处理区域内;
源模块,包含耦接至所述腔室本体的板堆栈,所述板堆栈包含:
第一扩散器;
面板;
陶瓷环;
第二扩散器;
气体分配装置;及
等离子体阻挡筛网;
陶瓷间隔件,设置为邻近于所述等离子体阻挡筛网;
陶瓷泵衬垫,设置为邻近于所述陶瓷间隔件;
流动模块,耦接至所述腔室本体,所述流动模块包括壁,所述壁径向地支撑所述基板支撑组件;
排气模块,耦接到所述流动模块;以及
上衬垫组件,设置在所述腔室本体内并且覆盖所述腔室本体和所述流动模块之间的界面。
12.如权利要求11所述的设备,其中所述源模块进一步包含RF源和气体源。
13.如权利要求12所述的设备,其中所述RF源经配置以在所述板堆栈中产生第一等离子体。
14.如权利要求13所述的设备,其中所述RF源经配置以在所述处理区域中产生第二等离子体。
15.如权利要求12所述的设备,其中所述气体源经配置以输送一或多种处理气体到所述板堆栈或所述处理区域的任一者。
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