[发明专利]卷取式成膜装置、蒸发源单元和卷取式成膜方法

说明书

本发明一方式所涉及的卷取式成膜装置(1)具有退绕辊(2)、卷取辊(3)、冷却辊(4)、蒸发源阵列(6)和气体供给部(7)。蒸发源阵列(6)具有多个第1蒸发源(61(61A～61E))和多个第2蒸发源(62(62A～62F))，其中，所述多个第1蒸发源(61)在与冷却辊4的轴向平行的第1线路(L1)上隔开规定的间隔而配置，所述多个第2蒸发源(62)在与第1线路(L1)平行的第2线路(L2)上与多个第1蒸发源(61)错开半个间距且隔开上述规定的间隔而配置。气体供给部(7)具有多个第1喷嘴部(71(71A～71E))和多个第2喷嘴部(72(72A～72F))，且被配置在蒸发源阵列(6)与冷却辊(4)之间，所述多个第1喷嘴部(71)向来自多个第1蒸发源(61)的蒸气流喷出气体，所述多个第2喷嘴部(72)向来自多个第2蒸发源(62)的蒸气流喷出气体。据此，能抑制薄膜的宽度方向上的膜厚和透过率的偏差。

技术领域

本发明涉及一种使蒸发材料蒸发来在薄膜(film)上形成该蒸发材料的膜的卷取式成膜装置(winding-type film deposition device)、蒸发源单元(evaporation sourceunit)和卷取式成膜方法(winding-type film deposition method)。

背景技术

现有技术中，已知有如下方式的成膜装置：一边将从退绕辊(unwinding roller)上退绕出的薄膜卷绕在冷却辊(cooling roller)上，一边在薄膜上形成蒸发材料的膜，并通过卷取辊(winding roller)来卷取该薄膜。而且，例如在专利文献1中记载有使用这种成膜装置来制造具有氧化铝膜的透明气体阻隔性薄膜的技术。

专利文献1所记载的成膜装置具有使铝蒸发的一个或多个蒸发源(坩埚)和喷出氧气的气体喷嘴(gas nozzle)，通过使由蒸发源生成的铝的蒸发粒子和从气体喷嘴供给的氧气相互发生反应，来在薄膜上形成氧化铝膜。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本发明专利公开公报特开2013-234364号

发明内容

(发明要解决的问题)

在专利文献1所记载的卷取式成膜装置中，记载有将多个坩埚在薄膜的宽度方向上配置成一列的结构。然而，在该结构中，在薄膜上，在位于坩埚的正上方的部分形成厚的膜，在坩埚与坩埚之间的正上部分形成薄的膜。因此，难以形成薄膜的宽度方向上的厚度均匀的膜。另外，由于薄膜的宽度方向上的厚度不均匀，因此，存在该方向上的透过率也产生偏差的问题。尤其是在配置坩埚的间隔大的情况下，这些问题是显著的。

鉴于以上这样的情况，本发明的目的在于，提供一种能够抑制薄膜的宽度方向上的膜厚和透过率的偏差的卷取式成膜装置、蒸发源单元和卷取式成膜方法。

(解决问题的技术手段)

为了达成上述目的，本发明一方式所涉及的卷取式成膜装置具有退绕辊、卷取辊、冷却辊、蒸发源阵列(evaporation source array)和气体供给部(gas supply part)。

所述退绕辊用于退绕薄膜。

所述卷取辊用于卷取从所述退绕辊退绕出的所述薄膜。

所述冷却辊被配置在所述退绕辊与所述卷取辊之间，用于对所述薄膜进行冷却。

所述蒸发源阵列具有多个第1蒸发源和多个第2蒸发源，其中，所述多个第1蒸发源在与所述冷却辊的轴向平行的第1线路(line)上隔开规定的间隔而配置，所述多个第2蒸发源在与所述第1线路平行的第2线路上，与所述多个第1蒸发源错开半个间距且隔开所述规定的间隔而配置。