[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：

第一照射工序，从第一导电型的半导体基板的一个主面侧以第一预定深度为射程来照射质子，形成包含质子并且在所述第一预定深度具有载流子浓度的峰值的第一导电型的第一半导体层；

第一热处理工序，通过热处理使质子活化；

第二照射工序，从所述半导体基板的一个主面侧以比所述第一预定深度深的第二预定深度为射程来照射氦，向所述半导体基板导入晶格缺陷；

第二热处理工序，通过热处理，调整所述半导体基板中的所述晶格缺陷的量，

在所述第二热处理工序中，在与所述第一半导体层相比更靠所述半导体基板的另一个主面侧形成包含质子及氦，并且与所述第一半导体层接触的第一导电型的第二半导体层。

2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二热处理工序中形成具有载流子浓度的峰值比所述第一半导体层更低，并且载流子浓度伴随着朝向所述半导体基板的另一个主面侧而以比所述第一半导体层更平缓的倾斜来减小的载流子浓度分布的所述第二半导体层。

3.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一照射工序前还包含在所述半导体基板的另一个主面侧形成第二导电型半导体区的工序，

作为抑制从所述第二导电型半导体区与所述半导体基板之间的pn结延伸向所述半导体基板的一个主面侧的耗尽层的延伸的场截止层，形成所述第一半导体层及所述第二半导体层。

4.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第一照射工序中，以不同的射程照射质子多次，形成从所述半导体基板的一个主面起算的深度不同的多个所述第一半导体层，

通过以所述第一预定深度为射程的质子照射，形成多个所述第一半导体层中的、形成于距所述半导体基板的一个主面最深的位置的所述第一半导体层。

5.如权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二热处理工序中，还在与所述第一半导体层相比更靠所述半导体基板的一个主面侧，形成与所述第一半导体层接触并且包含质子及氦的第一导电型的第三半导体层。

6.如权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

在所述第二热处理工序中形成具有载流子浓度的峰值比所述第一半导体层更低，并且载流子浓度伴随着朝向所述半导体基板的一个主面侧而以比所述第一半导体层更平缓的倾斜来减小的载流子浓度分布的所述第三半导体层。

7.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型的第一半导体层，其设置于第一导电型的半导体基板的内部，在距所述半导体基板的一个主面为第一预定深度处具有载流子浓度的峰值，并且包含质子；

第一导电型的第二半导体层，其设置在比所述第一半导体层更靠所述半导体基板的另一个主面侧，与所述第一半导体层接触，并且包含质子及氦；

缺陷层，其设置在距所述半导体基板的一个主面比所述第二半导体层更深的第二预定深度，并且包含具有氦和空穴的晶格缺陷；以及

设置在所述缺陷层与所述半导体基板的另一个主面之间，并且从所述半导体基板的一个主面照射的氦未到达的区域。

8.一种半导体装置，其特征在于，具有：

第一导电型的第一半导体层，其设置于第一导电型的半导体基板的内部，在距所述半导体基板的一个主面为第一预定深度处具有载流子浓度的峰值，并且包含质子；

第一导电型的第二半导体层，其设置在比所述第一半导体层更靠所述半导体基板的另一个主面侧，与所述第一半导体层接触，并且包含质子及氦；

缺陷层，其包含在距所述半导体基板的一个主面比所述第二半导体层更深的第二预定深度，并且包含利用从所述半导体基板的一个主面照射的氦导入的晶格缺陷；以及

设置在所述缺陷层与所述半导体基板的另一个主面之间，并且从所述半导体基板的一个主面照射的氦未到达的区域。