[发明专利]集成三态电磁干扰滤波和线路调节模块有效

专利信息
申请号: 201680012200.6 申请日: 2016-02-25
公开(公告)号: CN107408881B 公开(公告)日: 2020-04-28
发明(设计)人: 欧内斯特·帕克;刘东敏;安东·兹拉特夫 申请(专利权)人: 克兰电子公司
主分类号: H02M1/44 分类号: H02M1/44;H02M3/158
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;王艳春
地址: 美国华*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 集成 三态 电磁 干扰 滤波 线路 调节 模块
【权利要求书】:

1.一种电磁干扰EMI滤波和线路调节EMI-LC电路,所述EMI-LC电路的输入能够耦合到输入电源的输出,所述EMI-LC电路的输出能够耦合到噪声源的输入,所述EMI-LC电路包括:

无源差模EMI滤波器电路,包括差模EMI电感器和差模EMI电容器;

升压转换器电路,包括升压控制开关、升压输出开关、所述差模EMI电感器和所述差模EMI电容器,所述升压控制开关可控地处于断开状态和接通状态;

反馈电路,可操作地耦合到所述EMI-LC电路的输入,以感测所述EMI-LC电路的输入处的输入特性信息;以及

控制电路,可操作地耦合到所述反馈电路以从所述反馈电路接收所述输入特性信息并可操作地耦合到所述升压控制开关,所述控制电路:

响应于所述输入特性信息的第一条件,在第一时间将所述升压控制开关控制为持续处于断开状态,以禁用所述升压转换器电路;以及

响应于所述输入特性信息的第二条件,在第二时间将所述升压控制开关选择性地控制为在断开状态和接通状态之间重复切换,以启用所述升压转换器电路,所述升压转换器电路在被启用时可控地增大施加于所述升压转换器电路的输入电压。

2.根据权利要求1所述的EMI-LC电路,其中所述升压转换器电路的升压输出开关包括金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET,并且当所述升压转换器电路被禁用时,所述控制电路将所述升压转换器电路的升压输出开关控制为处于接通状态,并且当所述升压转换器电路被启用时,将所述升压转换器电路的升压输出开关控制为处于断开状态。

3.根据权利要求1所述的EMI-LC电路,其中所述升压转换器电路的升压输出开关包括二极管。

4.根据权利要求1所述的EMI-LC电路,进一步包括:

无源共模EMI滤波器,包括共模EMI电感器和至少两个旁路EMI电容器。

5.根据权利要求1所述的EMI-LC电路,其中所述控制电路将脉冲宽度调制信号施加到所述升压控制开关的控制节点以启用所述升压转换器电路。

6.根据权利要求1所述的EMI-LC电路,其中当所述EMI-LC电路的输入处的电压低于确定的电压电平时,所述控制电路控制所述升压转换器电路的升压控制开关以启用所述升压转换器电路,并且当所述EMI-LC电路的输入处的电压处于或高于所述确定的电压电平时,所述控制电路控制所述升压转换器电路的升压控制开关以禁用所述升压转换器电路。

7.根据权利要求1所述的EMI-LC电路,进一步包括:

耦合在所述EMI-LC电路的输入和所述EMI-LC电路的输出之间的线性调节器电路,所述线性调节器电路包括可控制的线性通过元件,

其中所述控制电路可操作地耦合到所述线性通过元件,并且当所述EMI-LC电路的输入处的电压高于确定的电压电平时,所述控制电路控制所述线性通过元件以增加所述线性通过元件的电阻。

8.根据权利要求7所述的EMI-LC电路,其中所述线性通过元件包括MOSFET。

9.根据权利要求1所述的EMI-LC电路,进一步包括:

降压转换器电路,包括降压控制开关、降压分流开关、所述差模EMI电感器和所述差模EMI电容器,

其中所述控制电路可操作地耦合到所述降压控制开关,并且所述控制电路:

响应于所述输入特性信息的第三条件,将所述降压控制开关控制为持续处于接通状态,以禁用所述降压转换器电路;以及

响应于所述输入特性信息的第四条件,将所述降压控制开关选择性地控制为在断开状态和接通状态之间重复切换,以启用所述降压转换器电路,所述降压转换器电路在被启用时可控地降低施加于所述降压转换器电路的输入电压。

10.根据权利要求9所述的EMI-LC电路,其中所述降压转换器电路的降压分流开关包括二极管。

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