[发明专利]一种密集光源光学系统

权利要求书

1.一种密集光源光学系统，其特征在于，包含多个独立的单发射激光二极管，散热材料基板，所述基板上表面沉积有多个独立的金属化区域，所述独立的单发射激光二极管，分别放置接触所述金属化区域中相应的一个。

2.如权利要求1所述密集光源光学系统，其特征在于，所述多个独立的单发射激光二极管组成集成激光器结构，所述集成激光器结构包括多个发射区，所述集成激光器结构与所述密集光源光学系统的底座接触。

3.如权利要求2所述密集光源光学系统，其特征在于，所述集成激光器结构包括多个垂直布置的沟槽，以使得所述发射区域相互分离。

4.如权利要求3所述密集光源光学系统，其特征在于，所述金属化区域是随着向下延伸的金属单层多个沟槽形成的分立金属化区域。

5.如权利要求4所述密集光源光学系统，其特征在于，所述多个沟槽在所述相邻的单发射激光二极管之间提供隔离。

6.如权利要求2所述密集光源光学系统，其特征在于，所述集成激光器结构包括一个单独发光区的一维阵列。

7.如权利要求2所述密集光源光学系统，其特征在于，所述集成激光器结构包括一个基于晶片的配置，所述基于晶片的配置包括一个单独光发射区的二维阵列。

8.如权利要求2所述密集光源光学系统，其特征在于，所述密集光源光学系统的底座的热膨胀系数由所述集成激光器结构的热膨胀系数决定。

9.如权利要求2所述密集光源光学系统，其特征在于，所述集成激光器结构包括一个GaAs基结构。

10.如权利要求9所述密集光源光学系统，其特征在于，所述底座的热膨胀系数在3x10^-6到10x10^-6范围内。

11.如权利要求10所述密集光源光学系统，其特征在于，所述底座材料中还包括Cu₂₀W。

12.一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，其特征在于，包括如下步骤：

（1）提供集成激光器结构，包括与激光二极管阵列相关的光发射区阵列；

（2）提供一个散热底座包括一个顶部金属接触层；

（3）连接集成激光器结构到散热底座；

（4）单一化步骤（3）创建的安排，分离光发射区和多个密集单管激光二极管。

13.如权利要求12所述一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，其特征在于，所述步骤（1）中所述激光二极管棒包括光发射区的一维阵列。

14.如权利要求12所述一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，其特征在于，所述步骤（1）中所述集成激光器结构还包含一个包括了二维发光区域阵列的晶片结构。

15.如权利要求12所述一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，其特征在于，所述步骤（2）中所述底座的热膨胀系数由所述集成激光器结构的热膨胀系数决定。

16.如权利要求12所述一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，其特征在于，所述步骤（3）中所述集成激光器结构焊接到底座的上金属接触层上。

17.如权利要求12所述一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，其特征在于，所述步骤（4）中单一化以向下通过集成激光器结构和上金属接触层提供的分割形成多个垂直沟槽的方式实现。

18.如权利要求17所述一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，其特征在于，所述步骤（4）中，所述多个垂直沟槽以延伸到衬底中，并进一步隔离单个激光二极管。

19.如权利要求17所述一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，其特征在于，所述步骤（4）中所述多个垂直沟槽成形，用锯通过集成激光结构。

20.如权利要求17所述一种制作单个底座支撑多个密集的单发射激光二极管的方法，其特征在于，所述步骤（4）中通过纵向激光结构蚀刻形成多个垂直沟槽。