[发明专利]用于湿法蚀刻嵌段共聚物自组装图案的方法有效
申请号: | 201680010555.1 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN107258009B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 具世真;崔银英;尹圣琇;朴鲁振;金廷根;李济权;李美宿 | 申请(专利权)人: | 株式会社LG化学 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 蔡胜有;郑毅 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 湿法 蚀刻 共聚物 组装 图案 方法 | ||
1.一种用于湿法蚀刻嵌段共聚物自组装图案的方法,其特征在于:通过用具有不同浓度的多种湿法蚀刻溶液依次浸渍具有垂直取向的自组装结构的嵌段共聚物薄膜来选择性除去所述嵌段共聚物的一种嵌段;
各蚀刻溶液的浓度独立地为95v/v%至100v/v%;
各蚀刻溶液的浓度差在5v/v%以内;
第一蚀刻溶液的浓度为99v/v%至100v/v%;并且
各蚀刻溶液的浓度依次降低。
2.根据权利要求1所述的用于湿法蚀刻嵌段共聚物自组装图案的方法,其特征在于:所述浸渍进行至少2次。
3.根据权利要求1所述的用于湿法蚀刻嵌段共聚物自组装图案的方法,其特征在于:所述蚀刻溶液为乙酸溶液。
4.根据权利要求1所述的用于湿法蚀刻嵌段共聚物自组装图案的方法,其特征在于:所述嵌段共聚物薄膜的厚度为0.5Lo至11Lo,其中Lo为所述自组装结构的周期。
5.根据权利要求1所述的用于湿法蚀刻嵌段共聚物自组装图案的方法,其特征在于:通过蚀刻除去的嵌段为基于丙烯酸酯的嵌段或基于甲基丙烯酸酯的嵌段。
6.根据权利要求1所述的用于湿法蚀刻嵌段共聚物自组装图案的方法,其特征在于:通过蚀刻除去的嵌段选自聚甲基丙烯酸甲酯、聚丙烯酸甲酯、聚甲基丙烯酸丁酯、聚甲基丙烯酸叔丁酯、聚丙烯酸叔丁酯和聚甲基丙烯酸羟乙酯。
7.根据权利要求1所述的用于湿法蚀刻嵌段共聚物自组装图案的方法,其特征在于:所述嵌段共聚物的自组装结构为垂直取向的柱体图案。
8.一种用于产生纳米结构的方法,包括以下步骤:
在经表面处理的基底上形成嵌段共聚物薄膜;
通过对所述嵌段共聚物薄膜进行热处理或溶剂退火来形成所述嵌段共聚物的垂直取向的自组装结构;以及
进行根据权利要求1所述的湿法蚀刻方法。
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