[发明专利]密封用膜及使用该密封用膜的电子部件装置有效

专利信息
申请号: 201680009781.8 申请日: 2016-02-23
公开(公告)号: CN107210274B 公开(公告)日: 2021-09-03
发明(设计)人: 渡濑裕介;野村丰;荻原弘邦;金子知世;鸟羽正也;铃木雅彦;藤本大辅 申请(专利权)人: 昭和电工材料株式会社
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;C08K3/013;C08L9/00;C08L63/00;C08L83/04;H01L23/31
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;陈彦
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 密封 使用 电子 部件 装置
【权利要求书】:

1.一种半导体装置的制造方法,其具备下述工序:

将密封用膜在加热下按压于在具有临时固定材的基板上并排配置的半导体元件,从而将所述半导体元件包埋于所述密封用膜中的工序、

使包埋了所述半导体元件的所述密封用膜固化而得到固化体的工序、以及

在固化体形成再配线层的工序,

按压的所述密封用膜含有:(A)环氧树脂、(B)固化剂、(C)选自由丁二烯系橡胶和有机硅系橡胶组成的组中的2种以上弹性体、(D)无机填充材、以及(F)有机溶剂,

作为所述(C)成分,含有丁二烯系橡胶以及作为平均粒径大于或等于1.0μm且小于或等于50μm的有机硅粉末的有机硅系橡胶,

按压的所述密封用膜中,所述(C)成分的含量以所述(A)成分、所述(B)成分、所述(C)成分和所述(D)成分的总质量为基准为0.5~7.0质量%,

所述(F)成分的含量以密封用膜的总质量为基准为0.2~1.5质量%。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法,所述密封用膜中,作为所述(A)成分,以所述(A)成分、所述(B)成分、所述(C)成分和所述(D)成分的总质量为基准含有大于或等于5质量%的25℃时为液态的环氧树脂。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,所述密封用膜进一步含有(E)固化促进剂。

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,所述(D)成分的含量以所述(A)成分、所述(B)成分、所述(C)成分和所述(D)成分的总质量为基准大于或等于65质量%。

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置的制造方法,所述密封用膜的厚度为50~250μm。

6.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法,所述(D)成分的含量以所述(A)成分、所述(B)成分、所述(C)成分和所述(D)成分的总质量为基准大于或等于65质量%。

7.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法,所述密封用膜的厚度为50~250μm。

8.根据权利要求4所述的半导体装置的制造方法,所述密封用膜的厚度为50~250μm。

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