[发明专利]具有改进的透射率的近红外光学干涉滤波器有效
| 申请号: | 201680008448.5 | 申请日: | 2016-02-18 | 
| 公开(公告)号: | CN107209306B | 公开(公告)日: | 2020-10-20 | 
| 发明(设计)人: | 罗伯特·斯普瑞格;白胜元 | 申请(专利权)人: | 美题隆公司 | 
| 主分类号: | G02B5/28 | 分类号: | G02B5/28 | 
| 代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 闫小刚 | 
| 地址: | 美国俄*** | 国省代码: | 暂无信息 | 
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 改进 透射率 红外 光学 干涉 滤波器 | ||
1.一种干涉滤波器,包括:
层堆叠,包括多个层,所述多个层至少有:
加入氮的非晶氢化硅(a-Si:H,N)层,所述a-Si:H,N具有1%与4%之间的氢和2%与6%之间的氮的原子浓度,或者,所述a-Si:H,N具有2%与8%之间的氢和3%与7%之间的氮的原子浓度;和
一个或多个介电材料层,其具有低于a-Si:H,N的折射率的折射率。
2.如权利要求1所述的干涉滤波器,其中所述一个或多个介电材料包括SiO2。
3.如权利要求1所述的干涉滤波器,其中所述一个或多个介电材料包括低氧化硅(SiOx)。
4.如权利要求1所述的干涉滤波器,其中所述一个或多个介电层包括氮氧化硅(SiOxNy)。
5.如权利要求1所述的干涉滤波器,其中所述一个或多个介电材料层包括折射率在1.9至2.7的含端点范围内的介电材料层。
6.如权利要求5所述的干涉滤波器,其中折射率在1.9至2.7的含端点范围内的介电材料层包括一层或多层,包括Si3N4,SiOxNy,Ta2O5,Nb2O5或TiO2,其中y足够大以提供1.9或更高的折射率。
7.如权利要求6所述的干涉滤波器,其中一个或多个介电材料层还包括SiO2层。
8.如权利要求1-7中任一项所述的干涉滤波器,其中所述层堆叠被配置为具有在800-1100nm的含端点范围内的通带中心波长。
9.如权利要求1-7中任一项所述的干涉滤波器,其中所述层堆叠被配置为具有在750-1100nm的含端点范围内的通带中心波长。
10.如权利要求1-7中任一项所述的干涉滤波器,还包括:
支撑所述层堆叠的透明衬底。
11.如权利要求10所述的干涉滤波器,其中所述透明衬底包括玻璃衬底。
12.如权利要求10所述的干涉滤波器,其中所述层堆叠包括在透明衬底的一侧上的第一层堆叠和在所述透明衬底的相对侧上的第二层堆叠。
13.如权利要求12所述的干涉滤波器,其中所述第一层限定具有低通截止波长的低通滤波器,所述第二层堆叠限定具有高通截止波长的高通滤波器,并且所述干涉滤波器具有限定在所述高通截止波长与所述低通截止波长之间的通带。
14.一种干涉滤波器,包括:
层堆叠,包括交替的a-Si:H,N和硅基介电层,所述a-Si:H,N具有4%与8%之间的氢和2%与12%之间的氮的原子浓度,或者,所述a-Si:H,N具有2%与8%之间的氢和3%与7%之间的氮的原子浓度;
其中所述干涉滤波器具有中心波长在750-1100nm的含端点范围内的至少一个通带。
15.如权利要求14所述的干涉滤波器,具有中心波长在800-1100nm的含端点范围内的至少一个通带。
16.如权利要求14所述的干涉滤波器,其中所述通带中心波长为850nm。
17.如权利要求14-16中任一项所述的干涉滤波器,其中所述硅基介电层包括氧化硅(SiOx)层。
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