[发明专利]信息记录介质以及信息记录介质的制造方法在审

专利信息
申请号: 201680008397.6 申请日: 2016-02-02
公开(公告)号: CN107210051A 公开(公告)日: 2017-09-26
发明(设计)人: 槌野晶夫;儿岛理惠 申请(专利权)人: 松下知识产权经营株式会社
主分类号: G11B7/241 分类号: G11B7/241;G11B7/24038;G11B7/243
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司11021 代理人: 曹阳
地址: 日本国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 信息 记录 介质 以及 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种信息记录介质,其为包含基板和多个信息层、通过激光的照射来记录或读取信息的可刻录型信息记录介质,

其中,至少一个信息层的记录膜为至少包含钨(W)和氧(O)的W-O系记录膜,

与所述W-O系记录膜相接地设置有包含30mol%以上锡氧化物的电介质膜A。

2.根据权利要求1所述的信息记录介质,其中,所述锡氧化物为SnO2

3.根据权利要求1所述的信息记录介质,其中,所述电介质膜A还包含元素M0的氧化物,其中,M0为选自Si、Ge、Al、Ga、In、Zn、Sb、Bi、Cr、V、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf和Y中的至少一种元素。

4.根据权利要求1所述的信息记录介质,其中,所述W-O系记录膜还包含元素M1,其中,M1为选自Ge、Al、Zn、Bi、Te、Cu、Ag、Au、Ni、Pd、Pt、Co、Fe、Mn、Ta、Cr和Mo中的至少一种元素。

5.根据权利要求1所述的信息记录介质,其中,在所述至少一个信息层中,从所述信息记录介质的靠近照射所述激光的面的一侧,依次设置有所述电介质膜A、所述W-O系记录膜、和包含小于30mol%比例的SnO2的In2O3-SnO2电介质膜。

6.根据权利要求1所述的信息记录介质,其中,在具有N个信息层、将所述信息记录介质的最靠近照射所述激光的面的信息层设为第N信息层、将最靠近所述基板的信息层设为第1信息层时,至少第N信息层具有所述W-O系记录膜和所述电介质膜A,其中,N为正整数。

7.根据权利要求1所述的信息记录介质,其中,所述信息记录介质隔着所述基板在两面上具有所述信息层。

8.根据权利要求1所述的信息记录介质,其中,在所述多个信息层具有引导槽、将靠近照射所述激光的面的一侧的槽设为沟、将远离照射所述激光的面的一侧的槽间设为脊时,在所述多个信息层的各记录膜中,在对应于所述沟和所述脊二者的位置记录信息。

9.一种信息记录介质的制造方法,包含两个以上形成信息层的工序,

至少一个所述形成信息层的工序包含:

工序(i),形成包含钨(W)和氧(O)的W-O系记录膜;和工序(ii),形成包含3Omol%以上锡氧化物的电介质膜A,

所述工序(i)包括使用包含W和O的靶实施溅射,

所述工序(ii)包括使用包含Sn和O的靶实施溅射。

10.根据权利要求9所述的信息记录介质的制造方法,其中,在所述工序(i)中,使用添加氧的DC反应性溅射法。

11.根据权利要求9所述的信息记录介质的制造方法,其中,在所述工序(ii)中,使用DC溅射法。

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