[发明专利]射频系统开关功率放大器系统及方法

权利要求书

1.一种射频系统，所述射频系统被配置为促进电子设备之间的无线通信，其中所述射频系统包括：

第一开关功率放大器，所述第一开关功率放大器被配置为至少部分地基于第一输入模拟电信号和包络电压电源轨的电压以期望的输出功率来输出要发射的第一放大模拟电信号，其中所述第一开关功率放大器包括：

第一晶体管，其中所述第一晶体管的栅极被配置为接收所述第一输入模拟电信号，所述第一晶体管的源极被配置为电耦接至所述包络电压电源轨，并且所述第一晶体管的漏极电耦接至所述第一开关功率放大器的输出端；

与所述第一晶体管并联耦接的第二晶体管，其中所述第二晶体管的栅极被配置为接收所述第一输入模拟电信号，所述第二晶体管的源极被配置为电耦接至接地部，并且所述第二晶体管的漏极电耦接至所述第一开关功率放大器的输出端；和

第三晶体管，其中所述第三晶体管的栅极被配置为接收所述第一输入模拟电信号，所述第三晶体管的漏极被配置为电耦接至所述包络电压电源轨，并且所述第三晶体管的源极电耦接至第二开关功率放大器的输出端。

2.根据权利要求1所述的射频系统，包括：

第二开关功率放大器，所述第二开关功率放大器被配置为至少部分地基于第二输入模拟电信号和所述包络电压电源轨的电压以所述期望的输出功率来输出要发射的第二放大模拟电信号，其中所述第二开关功率放大器包括：

第四晶体管，其中所述第四晶体管的栅极被配置为接收所述第二输入模拟电信号，所述第四晶体管的源极被配置为电耦接至所述包络电压电源轨，并且所述第四晶体管的漏极电耦接至所述第二开关功率放大器的输出端；

与第四晶体管并联耦接的第五晶体管，其中第五晶体管的栅极被配置为接收所述第二输入模拟电信号，所述第五晶体管的源极被配置为电耦接至接地部，并且所述第五晶体管的漏极电耦接至第二开关功率放大器的输出端；和

第六晶体管，其中所述第六晶体管的栅极被配置为接收所述第二输入模拟电信号，所述第六晶体管的漏极被配置为电耦接至所述包络电压电源轨，并且所述第六晶体管的源极电耦接至所述第一开关功率放大器的输出端。

3.根据权利要求2所述的射频系统，其中所述第一输入模拟电信号和所述第二输入模拟电信号彼此反相，并且所述第一放大模拟电信号和所述第二放大模拟电信号彼此反相。

4.根据权利要求1所述的射频系统，其中所述第一开关功率放大器包括与所述第三晶体管并联耦接的第四晶体管，其中所述第四晶体管的栅极被配置为接收所述第一输入模拟电信号，所述第四晶体管的漏极被配置为电耦接至接地部，并且所述第四晶体管的源极电耦接至所述第二开关功率放大器的输出端。

5.根据权利要求1所述的射频系统，其中所述第一开关功率放大器包括耦接至所述第一开关功率放大器的输出端的电容器和电感器，其中所述电容器和所述电感器被配置为使所述第一放大模拟电信号平滑。

6.根据权利要求1所述的射频系统，其中所述第二晶体管和所述第三晶体管是n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，并且所述第一晶体管是p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管。

7.一种用于制造射频系统的方法，包括：

通过以下操作来形成第一开关功率放大器：

形成第一p型金属氧化物半导体(PMOS)晶体管，使得所述第一PMOS晶体管的栅极被配置为接收第一输入模拟电信号，所述第一PMOS晶体管的源极被配置为电耦接至包络电压电源轨，并且所述第一PMOS晶体管的漏极电耦接至所述第一开关功率放大器的输出端；

形成第一n型金属氧化物半导体(NMOS)晶体管，使得所述第一NMOS晶体管的栅极被配置为接收第一输入模拟电信号，所述第一NMOS晶体管的源极被配置为电耦接至接地部，并且所述第一NMOS晶体管的漏极电耦接至所述第一开关功率放大器的输出端；以及

形成第二NMOS晶体管，使得所述第二NMOS晶体管的栅极被配置为接收所述第一输入模拟电信号，所述第二NMOS晶体管的漏极被配置为电耦接至包络电压电源轨，并且所述第二NMOS晶体管的源极电耦接至第二开关功率放大器的输出端。