[发明专利]对准标记、利用其的对准测量方法及半导体装置制造方法有效
| 申请号: | 201680007966.5 | 申请日: | 2016-10-14 |
| 公开(公告)号: | CN108351595B | 公开(公告)日: | 2019-02-19 |
| 发明(设计)人: | 张贤镇;河昊澈;李吉洙 | 申请(专利权)人: | 奥路丝科技有限公司 |
| 主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00;G03F1/42;H01L23/544 |
| 代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 丁文蕴 |
| 地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 对准标记 半导体装置 对准测量 方向延伸 构造物 对置 平行 对准 方向正交 分析图像 相对错位 图案层 最小化 制造 图案 | ||
1.一种对准标记,其确定两个连续的图案层或分别形成于一个层的两个以上的图案间的相对错位,上述对准标记包括:
第一对准构造物,其包括一对第一杆及一对第二杆,上述一对第一杆彼此对置,且沿第一方向延伸,上述一对第二杆彼此对置,且沿与第一方向正交的第二方向延伸;以及
第二对准构造物,其包括与上述第一杆平行的多对第三杆以及与上述第二杆平行的多对第四杆,且相邻的第三杆之间的间隔不同,相邻的第四杆之间的间隔不同,
且上述第三杆与上述第四杆分别沿长度方向分割成多个子杆,上述多个子杆形成在同一层,
上述多个子杆包括宽度不同的至少两个子杆,
上述子杆分别沿宽度方向分割成多个段杆,
相邻的上述子杆分割成不同数量的段杆。
2.根据权利要求1所述的对准标记,其特征在于,
上述第三杆与第四杆越配置在外侧长度越长。
3.一种半导体元件的制造方法,其特征在于,
包括如下步骤:
在形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案时,同时形成对准标记的步骤;
利用上述对准标记测定对准值的步骤;以及
将所测定到的对准值利用于用以形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案的工序控制中的步骤,
上述对准标记为权利要求1或2中所述的对准标记。
4.一种对准测定方法,是测定两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案间的对准的方法,其特征在于,
包括如下步骤:
获得与形成两个连续的图案层或分别形成于一个图案层的两个图案的同时形成的对准标记的图像的步骤;以及
对上述对准标记的图像进行分析的步骤,
上述对准标记为权利要求1或2中所述的对准标记。
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