[发明专利]具有分布式开关的射频切换电路有效
| 申请号: | 201680007956.1 | 申请日: | 2016-01-13 |
| 公开(公告)号: | CN107408942B | 公开(公告)日: | 2020-11-03 |
| 发明(设计)人: | 陆建华;彼得·培根;劳尔·伊诺森西奥·阿利迪奥;维克拉姆·谢卡尔 | 申请(专利权)人: | 派赛公司 |
| 主分类号: | H03K17/693 | 分类号: | H03K17/693 |
| 代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 陈炜;李德山 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 分布式 开关 射频 切换 电路 | ||
1.一种射频切换装置,其包括:
(a)至少一个公共端口;
(b)至少一个场效应晶体管FET串联开关,其每个都被耦接到至少一个公共端口;
(c)至少一个终端端口;
(d)至少一条传输线,每条传输线通过其两端被串联耦接在至少一个FET串联开关中的对应的一个与至少一个终端端口中的对应的一个之间,每条传输线包括至少一个串联耦接的电感性调谐部件,并且每条传输线排列于集成电路布局上以限定该传输线的第一侧和第二侧;以及
(e)针对每条传输线的至少两个FET分路开关单元以及多个次电阻器,所述至少两个FET分路开关单元在调谐网络配置中被耦接在电路地与该传输线之间,其中,成对的至少两个FET分路开关单元被定位成使得每对中的一个FET分路开关单元定位在所排列的该传输线的第一侧、并且每对中的另一个FET分路开关单元定位在所排列的该传输线的第二侧,并且其中,至少两个FET分路开关单元的每个FET开关包括靠近该FET开关的栅极而被耦接到该栅极的主电阻器,并且每个次电阻器被串联耦接到至少两个FET分路开关单元的两个或更多个FET开关的主电阻器、但比耦接到每个FET开关的栅极的主电阻器更远离每个栅极。
2.根据权利要求1所述的射频切换装置,其中,至少一条传输线以基本对称的方式被排列于集成电路布局上。
3.根据权利要求1所述的射频切换装置,其中,至少一个FET分路开关单元包括FET开关的串联耦接堆叠。
4.根据权利要求1所述的射频切换装置,其中,至少一个FET串联开关包括FET开关的串联耦接堆叠。
5.根据权利要求1所述的射频切换装置,其中,至少一条传输线进一步包括至少一个耦接的补充电感性调谐部件。
6.根据权利要求1所述的射频切换装置,其中,每个FET分路开关单元具有关断状态电容,并且所述调谐网络配置补偿所述关断状态电容。
7.根据权利要求1所述的射频切换装置,其进一步包括:至少一个辅助隔离FET串联开关,其每个都耦接于至少一条传输线中的对应的一条与至少一个终端端口中的对应的一个之间。
8.一种射频切换装置,其包括:
(a)至少一个公共端口;
(b)至少一个场效应晶体管FET串联开关,其每个都被耦接到至少一个公共端口;
(c)至少一个终端端口;
(d)至少一条传输线,每条传输线通过其两端被耦接在至少一个FET串联开关中的对应的一个与至少一个终端端口中的对应的一个之间,每条传输线包括一个或更多个补偿电感元件,并且每条传输线排列于集成电路布局上以具有相对的两侧;以及
(e)针对每条传输线的至少两个FET分路开关单元以及多个次电阻器,其中,成对的至少两个FET分路开关单元在物理上定位成使得每对的各个FET分路开关单元处于该传输线的相对侧、并且在调谐网络配置中被耦接在电路地与所述一个或更多个补偿电感元件之间,其中,每个FET分路开关单元具有关断状态电容并且调谐网络配置补偿该关断状态电容,并且其中,至少两个FET分路开关单元的每个FET开关包括靠近该FET开关的栅极而被耦接到该栅极的主电阻器,并且每个次电阻器被串联耦接到至少两个FET分路开关单元的两个或更多个FET开关的主电阻器、但比耦接到每个FET开关的栅极的主电阻器更远离每个栅极。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于派赛公司,未经派赛公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201680007956.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。





