[发明专利]制备多晶硅的方法

权利要求书

1.一种制造多晶硅的方法，所述方法包括以下步骤：

-提供用于接收硅熔体的坩埚，所述坩埚包含底部和内表面，其中至少所述坩埚的底部具有涂层，所述涂层包含一种或多种选自以下的化合物：Si₃N₄、氧化的Si₃N₄和SiO₂，

-在所述坩埚中布置硅层与所述坩埚底部的涂层接触，

-在所述坩埚中布置多晶硅与所述硅层接触，

-加热所述坩埚，直到所述多晶硅和所述硅层完全熔化，以得到硅熔体；

-定向凝固所述硅熔体以形成多晶硅块，

其中所述硅层在所述坩埚加热期间和/或在所述硅层熔化期间释放还原剂，所述硅层包含卤素含量为3-90ppmw的多晶硅。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅层包含氢含量为0.5-40ppmw的多晶硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述卤素为氯。

4.根据权利要求1所述的方法，其中初始加入的所述硅层包含晶粒尺寸为50-4000μm的粒状多晶硅。

5.根据权利要求1所述的方法，其中在所述坩埚中布置所述硅层使得其覆盖所述坩埚底部的面积的至少30％。

6.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅层具有的高度为50μm-100cm。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述硅层不与所述坩埚的内表面接触。

8.根据权利要求1的方法，其中所述硅层和所述坩埚的内表面之间的距离为至少1mm。

9.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅块在该多晶硅块的底部区域中具有的平均晶粒尺寸为小于12.5mm²，其中所述底部区域是从所述硅块的底部延伸到硅块5cm的高度，即距离底部0-5cm的区域。

10.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅块在156x 156mm²的面积上测量的最大平均晶粒尺寸为12.5mm²。

11.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅块的单个晶粒取向的面积分数为小于25％。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述多晶硅块具有变异系数小于3的微结构。

13.根据权利要求1-12中任一项所述的方法，其中所述多晶硅块在进一步的步骤中被锯切成多晶硅锭。

14.根据权利要求13所述的方法，其中所述多晶硅锭在进一步的步骤被锯切成多晶硅片。