[发明专利]并入包含碳的金属线的结构及形成包含碳的金属线的方法

权利要求书

1.一种存储器装置，其包括：

下导电线，其在第一方向上延伸；

上导电线，其在第二方向上延伸且与所述下导电线交叉，其中所述上及下导电线中的至少一者包括交替层堆叠，所述交替层堆叠包括至少一个金属线及包含钨及碳的至少一个合金线；及

存储器单元堆叠，其插置于所述上与下导电线之间的相交点处，所述存储器单元堆叠包含：

在所述下导电线上方的第一有源元件及在所述第一有源元件上方的第二有源元件，其中所述第一及第二有源元件中的一者包括存储元件且所述第一及第二有源元件的另一者包括选择器元件，及

电极，其插置于所述上及下导电线中的所述至少一者与所述第一及第二有源元件的较接近者之间。

2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器装置是相变存储器装置，且其中所述第一有源元件是包括第一硫族化物组合物的存储元件，且所述第二有源元件是包括第二硫族化物组合物的选择器元件。

3.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述上及下导电线中的所述至少一者是至少部分非晶的。

4.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述上及下导电线中的所述至少一者包括在0.5原子百分比与20原子百分比之间的碳。

5.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述上及下导电线中的所述至少一者具有表面粗糙度，所述表面粗糙度具有小于上及下导电线中的所述至少一者的厚度的2.5％的均方根值。

6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述上及下导电线中的所述至少一者的所述厚度小于或等于100nm，且其中所述上及下导电线中的所述至少一者的宽度小于或等于50nm。

7.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述至少一个合金线是至少部分非晶的。

8.一种存储器装置，其包括：

下导电线，其在第一方向上延伸；

上导电线，其在第二方向上延伸且与所述下导电线交叉，其中所述上导电线及所述下导电线中的至少一者包括交替层堆叠，所述交替层堆叠包括至少一个金属线及至少一个导电含碳线；及

相变存储器单元，其形成于所述上与下导电线之间的相交点处，所述相变存储器单元包含包括硫族化物材料的有源元件，其中所述至少一个导电含碳线具有低于非晶碳的电阻率的线延伸的方向上的电阻率。

9.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述至少一个导电含碳线包括石墨烯。

10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述至少一个导电含碳线包括少于20个石墨烯单层。

11.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述至少一个导电含碳线具有在1nm与10nm之间的厚度，且其中所述上及下导电线中的所述至少一者的宽度小于或等于50nm。

12.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述至少一个金属导电线包括钨。

13.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述至少一个含碳线的厚度在0.5nm与3nm之间，且其中所述上及下导电线中的所述至少一者的宽度小于或等于50nm。

14.根据权利要求8所述的存储器装置，其中上及下导电线中的所述至少一者的纵横比小于1。

15.根据权利要求8所述的存储器装置，其中所述相变存储器单元包括接触所述上及下导电线中的所述至少一者的电极。