[发明专利]摄像装置

权利要求书

1.一种摄像装置，具备一维或二维地排列的多个像素，其特征在于，

各像素具备：

第1电极，在上述多个像素间电连接；

电荷捕集部，按每个上述像素被划分；以及

光电变换层，位于上述第1电极与上述电荷捕集部之间，在上述多个像素间相连；

上述光电变换层包含半导体型碳纳米管和具有比上述半导体型碳纳米管大的电子亲和力的第1物质；

上述电荷捕集部捕集负电荷；

上述半导体型碳纳米管中的至少一个跨两个像素而配置。

2.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

上述第1物质是具有富勒烯骨架的分子。

3.如权利要求1所述的摄像装置，其特征在于，

还包括与上述第1电极电连接的电压供给电路；

上述电压供给电路向上述第1电极供给电压，以使上述电荷捕集部的电位高于上述第1电极的电位。

4.一种摄像装置，具备一维或二维地排列的多个像素，其特征在于，

各像素具备：

第1电极，在上述多个像素间电连接；

电荷捕集部，按每个上述像素被划分；以及

光电变换层，位于上述第1电极与上述电荷捕集部之间，在上述多个像素间相连；

上述光电变换层包含半导体型碳纳米管和具有比上述半导体型碳纳米管小的电离电势的第1物质；

上述电荷捕集部捕集正电荷；

上述半导体型碳纳米管中的至少一个跨两个像素而配置。

5.如权利要求4所述的摄像装置，其特征在于，

还包括与上述第1电极电连接的电压供给电路；

上述电压供给电路向上述第1电极供给电压，以使上述电荷捕集部的电位低于上述第1电极的电位。

6.如权利要求1或4所述的摄像装置，其特征在于，

还具备支承上述光电变换层的半导体基板；

上述各像素还包括电荷检测用晶体管，该电荷检测用晶体管设置于上述半导体基板，与上述电荷捕集部电连接。

7.如权利要求1或4所述的摄像装置，其特征在于，

在上述光电变换层中，上述第1物质和上述半导体型碳纳米管相互分散。

8.如权利要求6所述的摄像装置，其特征在于，

上述电荷捕集部是形成于上述半导体基板的杂质扩散区域。

9.如权利要求6所述的摄像装置，其特征在于，

上述电荷捕集部是位于上述半导体基板上的第2电极。

10.如权利要求1或4所述的摄像装置，其特征在于，

上述半导体型碳纳米管的手性被控制为，使上述光电变换层具有特定的共振波长。

11.如权利要求1或4所述的摄像装置，其特征在于，

上述半导体型碳纳米管中的两个以上半导体型碳纳米管相互接触。

12.如权利要求9所述的摄像装置，其特征在于，

与上述第2电极侧相比，在上述第1电极侧，上述半导体型碳纳米管的密度更高。

13.如权利要求1或4所述的摄像装置，其特征在于，

上述光电变换层是双层构造，具有上述半导体型碳纳米管的第1层、以及上述第1物质的第2层。

14.如权利要求1或4所述的摄像装置，其特征在于，

上述光电变换层在近红外区域具有共振波长。

15.如权利要求14所述的摄像装置，其特征在于，

上述半导体型碳纳米管的手性被控制为，使上述光电变换层在上述近红外区域具有上述共振波长。