[发明专利]具有改进的透射率的近红外光学干涉滤波器

权利要求书

1.一种干涉滤波器，包括：

层堆叠，所述层堆叠包括在透明基板的一侧上的第一层堆叠以及在透明基板的相对侧上的第二层堆叠；以及

用于支撑所述第一层堆叠和所述第二层堆叠的透明基板，

其中所述第一层堆叠和第二层堆叠各自包括至少以下层中的多个层：

无定形氢化硅的层；

折射率低于所述无定形氢化硅的折射率的一种或多种介电材料的层，其中该一种或多种介电材料的层包括折射率在1.9至2.7的范围内的介电材料的层；以及

SiO₂层，

其中所述层堆叠包括两层或更多层的重复单元，所述重复单元被配置为实现期望的通频带性质，并且其中所述层堆叠包括至少一个紧邻介电材料的层的SiO₂层，而没有无定形氢化硅的中间层，该介电材料的层的折射率在1.9至2.7的范围内。

2.权利要求1所述的干涉滤波器，其中所述折射率在1.9至2.7的范围内的介电材料的层包括一个或多个层，该一个或多个层包括Si₃N₄、SiO_xN_y、Ta₂O₅、Nb₂O₅或TiO₂，在SiO_xN_y中，y足够大以提供1.9以上的折射率。

3.权利要求1至2中任一项所述的干涉滤波器，其中所述层堆叠被构造为通频带中心波长在800nm至1100nm的范围内。

4.权利要求1至2中任一项所述的干涉滤波器，其中所述层堆叠被构造为通频带中心波长在750nm至1100nm的范围内。

5.权利要求1至2中任一项所述的干涉滤波器，其中所述透明基板包括玻璃基板。

6.权利要求1至2中任一项所述的干涉滤波器，其中所述第一层堆叠限定具有低通截止波长的低通滤波器，所述第二层堆叠限定具有高通截止波长的高通滤波器，并且所述干涉滤波器具有在所述高通截止波长和所述低通截止波长之间限定的通频带。

7.一种制造根据权利要求1至6中任一项所述的干涉滤波器的方法，包括：

通过包括将所述层堆叠沉积在基板上的操作来制造所述的干涉滤波器。

8.权利要求7所述的方法，其中所述沉积包括使用至少硅基溅射靶的溅射。